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WNM2072-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 0.87nC@ 4.5V 220mΩ@4.5V,550mA 660mA DFN-1006-3
供应商型号: 30C-WNM2072-3/TR DFN1006-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM2072-3/TR

WNM2072-3/TR概述

    单通道N沟道20V增强型功率MOSFET WNM2072技术手册

    产品简介


    WNM2072 是一款单通道N沟道增强型MOSFET,具有卓越的性能参数和广泛的应用范围。它采用了先进的沟槽技术和高密度单元设计,提供出色的RDS(on)(导通电阻)并拥有低栅极电荷,适用于直流-直流转换、电源开关及充电电路等多种应用场景。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 漏源电压 (VDS): 20V
    - 栅源电压 (VGS): ±5V
    - 连续漏极电流 (TA=25°C): 7A,TA=70°C: 4A
    - 最大功率耗散 (TA=25°C): 0.32W,TA=70°C: 0.20W
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 1.4A
    - 接触温度 (TJ): 150°C
    - 铅温度 (TL): 260°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 到 150°C
    - 电学特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 20V
    - 栅漏电流 (IGSS): ±5uA
    - 开启阈值电压 (VGS(TH)): 0.45V 至 0.85V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 0.220Ω @ VGS=4.5V
    - 0.260Ω @ VGS=2.5V
    - 0.315Ω @ VGS=1.8V
    - 前向转移电导 (gFS): 2.0S
    - 输入电容 (CISS): 50.6pF
    - 输出电容 (COSS): 13.2pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 8.3pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 0.87nC
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 (td(ON)): 1ns
    - 上升时间 (tr): 1ns
    - 关闭延迟时间 (td(OFF)): 1ns
    - 下降时间 (tf): 1ns
    - 热特性:
    - 热阻 (RθJA):
    - 稳态:395°C/W
    - 短期:350°C/W
    - 结至外壳热阻 (RθJC): 240°C/W

    产品特点和优势


    1. 先进沟槽技术: 采用先进的沟槽技术,提高性能和可靠性。
    2. 高密度单元设计: 实现更低的导通电阻 (RDS(on)) 和更高的电流承载能力。
    3. 超低阈值电压: 极低的开启阈值电压,有助于降低功耗。
    4. 小封装尺寸: DFN1006-3L 封装,适合紧凑空间的设计需求。
    5. 优异的电气性能: 低漏电流、高可靠性和快速开关速度。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 直流-直流转换器
    - 电源开关
    - 充电电路
    - 小信号开关
    - 小电机驱动
    使用建议:
    - 在高频应用中使用时,需考虑电容特性以优化开关性能。
    - 高温环境中使用时,注意散热设计,以避免过热导致的性能下降。
    - 长时间使用时,需监测温度,确保不超过最大工作温度 (150°C)。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与多种标准电路板设计兼容,适用于各种电源管理系统。
    - 支持服务: Will Semiconductor Ltd. 提供全面的技术支持和维护服务,包括产品咨询、设计指导和技术文档支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化散热设计,增加散热片或散热器。 |
    | 工作温度超过额定值 | 适当降低负载或使用散热装置来降低温度。 |
    | 无法达到预期的电流输出 | 检查电路连接,确认栅极驱动信号正确。 |

    总结和推荐


    WNM2072 单通道N沟道增强型功率MOSFET 是一款性能卓越、应用广泛的电子元件。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其具备出色的导通电阻和开关性能。在多种应用场景中表现出色,特别适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理领域。综上所述,强烈推荐在高性能电源系统中使用此产品。

WNM2072-3/TR参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ@4.5V,550mA
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 660mA
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 0.87nC@ 4.5V
通用封装 DFN-1006-3

WNM2072-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM2072-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM2072-3/TR WNM2072-3/TR数据手册

WNM2072-3/TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.2117
5000+ ¥ 0.1422
10000+ ¥ 0.1008
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