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WNM01N10-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Single N-Channel, 100V, 1.7A, Power MOSFET
供应商型号: WNM01N10-3/TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM01N10-3/TR

WNM01N10-3/TR概述

    # WNM01N10 N-Channel Enhancement MOSFET 技术手册

    产品简介


    WNM01N10 是一款由 Will Semiconductor 制造的 N-Channel 增强型 MOSFET(场效应晶体管)。该产品采用先进的沟槽技术设计,旨在提供低导通电阻(RDS(on))的同时具有较低的栅极电荷。这种高性能的电子元器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路等领域。WNM01N10 是无铅且不含卤素的产品,符合环保要求。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压(VDS) | 100 V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.235 @ 10V, 0.255 @ 4.5V Ω |
    | 最大连续漏电流(ID) | 2.03 @ 25°C, 1.70 @ 70°C A |
    | 最大脉冲漏电流(IDM) 7 | A |
    | 最大功率耗散(PD) | 2.27 @ 25°C, 1.60 @ 70°C W |
    | 热阻抗(RθJA) | 40 @ 1s, 60 @ 10s °C/W |
    | 栅阈电压(VGS(TH)) | 1 | 2.5 | V |
    | 输入电容(CISS) | 350 pF |
    | 输出电容(COSS) | 23.6 pF |

    产品特点和优势


    WNM01N10 的主要优势包括:
    - 高密度单元设计,提高了载流能力。
    - 优秀的导通电阻,适合高直流电流应用。
    - 小巧的SOT-23封装,便于紧凑设计。
    - 无铅且不含卤素,环保友好。
    这些特点使 WNM01N10 在各种电子设备中具有广泛的应用潜力,尤其是在需要高效能和紧凑布局的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    WNM01N10 主要应用于驱动继电器、电磁阀、电机、LED 等负载控制,也适用于直流-直流转换器、电源开关、负载开关和充电电路。
    使用建议
    - 散热管理:由于最大功耗有限,必须确保良好的散热条件,特别是长时间运行时。
    - 电压和电流限制:确保操作电压和电流不超过额定值,以避免损坏。
    - 电路布局:使用短而粗的引线连接,以减少寄生电感和电阻,提高电路的稳定性。

    兼容性和支持


    WNM01N10 支持标准 SOT-23 封装,易于与其他电子元器件集成。Will Semiconductor 提供详细的使用指南和技术支持,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保良好的散热条件,如增加散热片或改进散热路径。 |
    | 运行电流超出规格 | 降低负载电流,或改用更高额定电流的器件。 |
    | 开关速度慢 | 减少栅极电荷,可以尝试优化栅极电阻或使用专用栅极驱动器。 |

    总结和推荐


    WNM01N10 是一款高性能、低成本的 N-Channel MOSFET,特别适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。其卓越的性能和广泛的应用范围使其成为电子设计师的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要精确控制和高效能的电子系统中。
    如需进一步咨询或技术支持,请联系 Will Semiconductor 官方网站或技术支持团队。

WNM01N10-3/TR参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-23

WNM01N10-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM01N10-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM01N10-3/TR WNM01N10-3/TR数据手册

WNM01N10-3/TR封装设计

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