处理中...

首页  >  产品百科  >  SVF6N70F

SVF6N70F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: MOSFET N-Channel 100V 120A 208W TO-220-101L
供应商型号: SVF6N70F TO-220F-3
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
SILAN/杭州士兰微电子 场效应管(MOSFET) SVF6N70F

SVF6N70F概述

    # 士兰微电子SVF6N70F技术手册解析

    1. 产品简介


    基本介绍
    士兰微电子SVF6N70F是一款采用士兰微电子特有的F-Cell工艺生产的VDMOS(垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管)产品。它是一个6A,700V的N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管。由于采用了先进的条状原胞设计和F-Cell平面高压VDMOS工艺技术,SVF6N70F具备较低的导通电阻、卓越的开关性能和极高的雪崩击穿耐量。
    主要功能
    - 低导通电阻:RDS(on)(典型值)=1.35Ω@VGS=10V。
    - 快速开关性能:低栅极电荷量和低反向传输电容。
    - 高可靠性:能承受高达24A的瞬态漏极电流,支持45W的耗散功率。

    应用领域
    - AC-DC开关电源
    - DC-DC电源转换器
    - 高压H桥PWM马达驱动

    2. 技术参数


    以下是SVF6N70F的技术规格、性能参数、电气特性和工作环境信息:
    | 参数 | 符号 | 参数范围 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | 700 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 | V |
    | 漏极电流 | TC=25°C | ID | 6.0 | A |
    TC=100°C 3.79 | A |
    | 漏极冲击电流 | IDM | 24.0 | A |
    | 耗散功率(TC=25°C) | PD | > 25°C每摄氏度减少 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 463 | mJ |
    | 工作结温范围 | TJ | -55~+150 | °C |
    | 贮存温度范围 | Tstg | -55~+150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:SVF6N70F的典型导通电阻为1.35Ω@VGS=10V,适用于需要高效率的应用场景。
    - 高速开关性能:其低栅极电荷量和低反向传输电容有助于提高系统的整体性能。
    - 卓越的可靠性:在高瞬态电流条件下仍能保持稳定性能。
    - 适应广泛的温度范围:能在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - AC-DC开关电源:在电源转换过程中,SVF6N70F能有效地降低功耗并提高转换效率。
    - DC-DC电源转换器:适合用于车载电子设备、工业控制等领域。
    - 高压H桥PWM马达驱动:适用于电动工具、机器人等对电机驱动性能要求较高的场合。
    使用建议
    - 在使用SVF6N70F时,应确保栅极驱动电压在0V到10V之间,以保持最佳性能。
    - 为了减少电磁干扰,建议合理布线并使用屏蔽电缆。
    - 为防止过载,需注意散热措施,确保结温不超过150°C。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:SVF6N70F与现有的AC-DC和DC-DC电源转换器兼容,可直接替换传统的MOSFET产品。
    - 支持和维护:士兰微电子提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用手册和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保良好的散热措施,使用散热片或风扇辅助散热。 |
    | 导通电阻过高 | 检查栅极驱动电压是否在规定的范围内,确保驱动电路正常工作。 |
    | 开关速度慢 | 减少寄生电容,优化PCB布局,使用合适的栅极驱动电阻。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    SVF6N70F凭借其优异的性能参数和广泛的应用范围,在高压电力转换和驱动应用中表现出色。其低导通电阻、高速开关性能和卓越的可靠性使其成为替代传统MOSFET的理想选择。
    推荐
    鉴于其强大的功能和优良的性价比,我们强烈推荐SVF6N70F作为高性能电力转换和驱动系统的首选MOSFET。

SVF6N70F参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7mΩ
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 16.53nC@ 10V
最大功率耗散 45W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 6A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 700V
通道数量 -
通用封装 TO-220F-3

SVF6N70F厂商介绍

Silan公司是一家全球领先的硅烷偶联剂和特殊有机硅产品的生产商和供应商。公司主营产品包括硅烷偶联剂、特殊有机硅产品和硅烷交联剂等。这些产品广泛应用于塑料、橡胶、涂料、粘合剂、密封剂、复合材料、电子、建筑和纺织等多个领域。

Silan公司的优势在于其强大的研发能力、丰富的产品线和卓越的客户服务。公司拥有一支专业的技术团队,不断进行产品创新和技术研发,以满足不同行业的需求。此外,Silan公司还提供定制化解决方案,帮助客户解决特定的技术难题。公司在全球范围内设有多个生产基地和销售网络,确保产品供应的稳定性和及时性。通过持续的技术创新和优质的客户服务,Silan公司致力于为客户提供高效、环保的硅烷产品,助力客户实现可持续发展。

SVF6N70F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SILAN/杭州士兰微电子 场效应管(MOSFET) SILAN/杭州士兰微电子 SVF6N70F SVF6N70F数据手册

SVF6N70F封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
150+ ¥ 1.817
库存: 500
起订量: 500 增量: 50
交货地:
最小起订量为:150
合计: ¥ 272.55
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504