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SVF5N65F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 13.63nC@ 10V 2.1Ω@10V,2.5A 5A TO-220
供应商型号: SVF5N65F TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
SILAN/杭州士兰微电子 场效应管(MOSFET) SVF5N65F

SVF5N65F概述

    SVF5N65D/F 产品技术手册解析

    1. 产品简介


    SVF5N65D/F 是一款由杭州士兰微电子股份有限公司开发的 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管。这款器件采用了先进的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术,具备较低的导通电阻、优越的开关性能和很高的雪崩击穿耐量。它广泛应用于 AC-DC 开关电源、DC-DC 电源转换器和高压 H 桥 PWM 马达驱动等领域。

    2. 技术参数


    以下是 SVF5N65D/F 的主要技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 参数范围 | 单位 | SVF5N65D | SVF5N65F |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 650 | V | 650 | 650 |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 | V | ±30 | ±30 |
    | 漏极电流 | ID | 5.0 @25°C, 3.1 @100°C | A | 5.0 | 3.1 |
    | 漏极冲击电流 | IDM | 20 | A | 20 | 20 |
    | 消耗功率(TC=25°C) | PD | 79 @25°C,每摄氏度减少0.53 | W | 79 | 30 |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 242 | mJ | 242 | 242 |
    | 工作结温范围 | TJ | -55~+150 | °C | -55~+150 | -55~+150 |
    | 贮存温度范围 | Tstg | -55~+150 | °C | -55~+150 | -55~+150 |
    | 芯片对管壳热阻 | RθJC | 1.90 | °C/W | 1.90 | 4.17 |
    | 芯片对环境的热阻 | RθJA | 62.0 | °C/W | 62.0 | 62.5 |
    电气参数如下:
    | 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250µA| 650 V |
    | 漏源漏电流 | IDSS | VDS=650V,VGS=0V 1 | µA |
    | 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V ±100 | nA |
    | 栅极开启电压 | VGS(th) | VGS= VDS,ID=250µA| 2.0 4.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=2.5A 2.1 | 2.5 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHZ 471 pF |
    | 输出电容 | Coss 58 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 5.5 pF |
    | 开启延迟时间 | td(on) | VDD=325V,ID=5.0A,RG=24Ω 13.87 ns |
    | 开启上升时间 | tr 31.93
    | 关断延迟时间 | td(off) 43.53
    | 关断下降时间 | tf 33.73
    | 栅极电荷量 | Qg | VDS=520V,ID=5.0A,VGS=10V 13.63 nC |
    | 栅极-源极电荷量 | Qgs 2.96 nC |
    | 栅极-漏极电荷量 | Qgd 6.86 nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值为 2.1Ω(VGS=10V),使其在开关电源应用中表现优异。
    - 高速开关能力:低栅极电荷量和快速的开关时间使器件非常适合高频应用。
    - 高可靠性:优秀的雪崩击穿耐量确保在极端工作条件下稳定运行。
    - 低反向传输电容:降低了开关损耗,提高能效。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C 的工作结温范围,适合多种恶劣环境的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:SVF5N65D/F 可广泛应用于 AC-DC 开关电源和 DC-DC 电源转换器。例如,在一个典型的 AC-DC 开关电源设计中,它可以作为主控开关器件,用于将交流电转换为稳定的直流电。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意器件的工作条件,避免超过最大额定值。
    - 在高频应用中,合理选择外部电路参数(如栅极电阻)以优化开关速度。
    - 对于需要高温工作的场合,应考虑散热措施,以保证器件长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    SVF5N65D/F 有两种封装形式:TO-252-2L 和 TO-220F-3L。不同的封装形式适用于不同应用场景的需求。此外,士兰微电子提供详细的技术文档和支持,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何防止过高的栅极电压损坏器件?
    解决方法:使用合适的栅极电阻来限制电流,防止栅极电压过高。
    问题2:在高温环境下工作时,应该如何优化散热?
    解决方法:增加散热片或采用液冷散热方案,确保器件温度不超过安全范围。

    7. 总结和推荐


    SVF5N65D/F 是一款性能卓越的 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管,具备优良的导通电阻、高速开关能力和广泛的温度适应范围。无论是对于 AC-DC 开关电源还是 DC-DC 电源转换器,该产品都是理想的选择。鉴于其优秀的性能和广泛的适用性,强烈推荐给需要高效、可靠的电源管理解决方案的设计工程师。

SVF5N65F参数

参数
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 13.63nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1Ω@10V,2.5A
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 5A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220

SVF5N65F厂商介绍

Silan公司是一家全球领先的硅烷偶联剂和特殊有机硅产品的生产商和供应商。公司主营产品包括硅烷偶联剂、特殊有机硅产品和硅烷交联剂等。这些产品广泛应用于塑料、橡胶、涂料、粘合剂、密封剂、复合材料、电子、建筑和纺织等多个领域。

Silan公司的优势在于其强大的研发能力、丰富的产品线和卓越的客户服务。公司拥有一支专业的技术团队,不断进行产品创新和技术研发,以满足不同行业的需求。此外,Silan公司还提供定制化解决方案,帮助客户解决特定的技术难题。公司在全球范围内设有多个生产基地和销售网络,确保产品供应的稳定性和及时性。通过持续的技术创新和优质的客户服务,Silan公司致力于为客户提供高效、环保的硅烷产品,助力客户实现可持续发展。

SVF5N65F数据手册

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SILAN/杭州士兰微电子 场效应管(MOSFET) SILAN/杭州士兰微电子 SVF5N65F SVF5N65F数据手册

SVF5N65F封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 1.2018
3000+ ¥ 1.1809
5000+ ¥ 1.1495
11000+ ¥ 1.0973
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起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
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