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KNY6610A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: KNY6610A DFN5*6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
KIA/深圳可易亚半导体 场效应管(MOSFET) KNY6610A

KNY6610A概述

    KIA 6610A N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    KIA 6610A 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的平面条纹沟槽技术制造。这种先进的技术旨在降低导通损耗,提供卓越的开关性能,并能够在雪崩模式和换相模式下承受高能量脉冲。它广泛应用于 PWM 应用、电源管理和负载开关等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 额定电压(VDS): 100V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C: 15A
    - TC = 100°C: 10A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 60A
    - 栅极-源极电压(VGS): ±20V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 3.5mJ
    - 最大功耗(PD): 55W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS): 100V
    - 漏源泄漏电流(IDSS): ≤1µA
    - 栅源前向泄漏电流(IGSS): ≤±1µA
    - 栅阈值电压(VGS(TH)): 1.0 ~ 2.5V
    - 漏源导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS = 10V, ID = 10A: 83mΩ (典型值)
    - VGS = 4.5V, ID = 8A: 90mΩ (典型值)
    - 输入电容(Ciss): 1073pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss): 57pF
    - 反向转移电容(Crss): 31pF
    - 开启延迟时间(td(on)): 12.6ns
    - 上升时间(tr): 6ns
    - 关闭延迟时间(td(off)): 32.5ns
    - 下降时间(tf): 4.3ns
    - 总栅极电荷(Qg): 19.2nC (VDS = 30V, ID = 15A, VGS = 10V)
    - 热特性:
    - 结壳热阻(RθJC): 2.73°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(ON) 的典型值仅为 83mΩ,可在低 VGS 条件下实现高效率的导通状态。
    - 快速开关性能:具备快速的开启和关闭延迟时间,适用于需要高速切换的应用场景。
    - 高可靠性:通过了 100% 雪崩测试,能够承受高能量脉冲。
    - 增强的 dv/dt 能力:能够在较高变化率条件下保持稳定的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    KIA 6610A 主要应用于PWM(脉宽调制)应用、电源管理和负载开关。例如,在一个典型的PWM应用中,KIA 6610A 可以用于高效地控制负载的开关状态。使用时建议遵循以下几点:
    - 散热设计:由于较高的功耗,建议在设计电路时考虑良好的散热措施,以防止过热导致器件损坏。
    - 栅极驱动:适当选择栅极电阻,确保合适的栅极电压,避免栅极振铃和过高的dv/dt。
    - 电源电压管理:在高频率和高功率应用中,确保电源电压稳定,避免电压波动影响性能。

    5. 兼容性和支持


    - 封装形式:
    - DFN56 封装
    - TO-252 封装
    - 订购信息:
    - DFN56 封装: KNY6610A
    - TO-252 封装: KND6610A
    制造商 KIA 提供详细的技术支持和售后服务,以确保用户在应用中获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温度环境下,漏源电流是否正常?
    - 解决方案: 确保电路中有良好的散热设计,以保证在高温条件下的正常运行。
    - 问题: 如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案: 参考技术手册中的数据,选择合适的栅极电阻以确保快速和稳定的开关速度。
    - 问题: 为何会有栅极振铃现象?
    - 解决方案: 使用适当的栅极电阻和滤波电路来抑制振铃现象。

    7. 总结和推荐


    KIA 6610A N 沟道 MOSFET 在多个方面表现出色,尤其是在低导通电阻和快速开关性能上。它的广泛应用范围和强大的性能使其成为电源管理、负载开关和 PWM 应用的理想选择。强烈推荐在需要高效能、高可靠性的应用中使用此产品。

KNY6610A参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -

KNY6610A厂商介绍

KIA(起亚汽车公司)是一家韩国汽车制造商,成立于1944年,总部位于首尔。KIA主要生产和销售各种类型的汽车,包括轿车、SUV、MPV和新能源汽车等。

KIA的主营产品可以分为以下几个类别:

1. 轿车:如K3、K5、Stinger等,主要应用于个人和家庭出行。

2. SUV:如Sportage、Sorento等,适用于城市通勤和户外活动。

3. MPV:如Carnival、Sedona等,适合家庭出游和商务接待。

4. 新能源汽车:如Niro EV、Soul EV等,满足环保出行需求。

KIA的优势主要体现在以下几个方面:

1. 性价比高:KIA汽车在同级别车型中价格相对亲民,配置丰富。

2. 设计时尚:KIA汽车外观和内饰设计时尚动感,符合年轻消费者的审美。

3. 技术先进:KIA在新能源、智能驾驶等领域不断投入研发,技术领先。

4. 售后服务好:KIA在全球范围内建立了完善的售后服务网络,为消费者提供便利。

总之,KIA凭借高性价比、时尚设计、先进技术和优质售后服务,赢得了全球消费者的信赖和喜爱。

KNY6610A数据手册

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KIA/深圳可易亚半导体 场效应管(MOSFET) KIA/深圳可易亚半导体 KNY6610A KNY6610A数据手册

KNY6610A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 0.473
25000+ ¥ 0.4429
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