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KPE4403B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: 14M-KPE4403B SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
KIA/深圳可易亚半导体 场效应管(MOSFET) KPE4403B

KPE4403B概述

    KIA 4403B P-Channel MOSFET 技术手册解析



    1. 产品简介



    KIA 4403B 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于负载开关、开关电路和高速线驱动等应用。它具备极低的导通电阻(典型值为 40mΩ@VGS=-10V),且能够在-5V逻辑电平下控制,提供了一种高效、可靠的解决方案。


    2. 技术参数



    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):-30V
    - 零栅压漏电流(IDSS):-1μA(VDS=-30V, VGS=0V, TA=25°C)
    - 门体泄漏电流(IGSS):±100nA(VGS=±20V, VDS=0V)
    - 栅极阈值电压(VGS(TH)):-1.2V ~ -2.5V
    - 导通电阻(RDS(ON)):40mΩ(VGS=-10V, ID=-4A)
    - 输入电容(Ciss):490pF(VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容(Coss):68pF
    - 反向传输电容(Crss):45pF
    - 总栅极电荷(Qg):7.9nC(VDS=-15V, ID=-4A, VGS=-10V)
    - 栅源电荷(Qgs):0.6nC
    - 栅极电荷(Qgd):2.5nC
    - 开启延迟时间(td(on)):7ns(VDD=-15V, ID=-1A, RG=3.3Ω, VGS=-10V)
    - 关断延迟时间(td(off)):23ns

    - 最大额定值:
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 漏极-源极击穿电压(V(BR)DSS):-30V
    - 最大结温(TJ):150°C
    - 存储温度范围(TSTG):-50°C ~ 150°C
    - 脉冲漏极电流(IDM):-24A
    - 连续漏极电流(ID):-5A(TA=25°C),-4.8A(TA=70°C)
    - 最大功耗(PD):1.56W(TA=25°C),1.25W(TA=70°C)
    - 热阻(RθJA):80°C/W


    3. 产品特点和优势



    KIA 4403B 的关键优势包括:
    - 极低的导通电阻(RDS(ON)=40mΩ@VGS=-10V),提供高效率的功率转换。
    - 支持-5V逻辑电平控制,简化电路设计。
    - 采用SOP-8封装,体积小巧,易于集成。
    - 符合RoHS标准,无铅环保。
    - 高可靠性和稳定性,在高温环境下仍能保持高性能。


    4. 应用案例和使用建议



    KIA 4403B 主要应用于负载开关、开关电路和高速线驱动等领域。在这些应用中,它能够提供快速、高效的开关操作和高可靠性。例如,对于负载开关应用,可以使用该MOSFET来控制电池或电源输出的通断;在开关电路中,它可以实现高频信号的切换,从而提高系统的工作效率。
    使用建议:
    - 确保在使用时,栅极驱动电压不超过±20V,以防止损坏。
    - 在高温环境中使用时,注意散热设计,确保其不超过150°C的最大结温。
    - 尽量选择合适的外接电阻(RG)以达到理想的开关速度。


    5. 兼容性和支持



    KIA 4403B 与多种主流的逻辑电平和驱动电路兼容,方便集成到不同的系统中。同时,厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决各种问题,保证产品的最佳性能。


    6. 常见问题与解决方案



    - 问题:使用过程中发热严重,无法正常工作。
    解决方案:检查电路设计是否合理,特别是散热措施是否到位。可以通过增加散热片或优化布局来改善。
    - 问题:在高速切换时出现异常噪音。
    解决方案:可能是由于输入和输出电容不匹配导致的。建议检查并调整输入电容和输出电容的大小。
    - 问题:电路不稳定,经常出现误触发。
    解决方案:检查驱动信号的质量,尤其是信号幅度和频率。也可以尝试增加栅极电阻来稳定信号。


    7. 总结和推荐



    总体而言,KIA 4403B P-Channel MOSFET 具备出色的性能和可靠性,适用于多种电力管理和开关应用。它的低导通电阻、紧凑封装和广泛的电气特性使其在市场上具有显著的竞争优势。根据以上技术手册内容,我们强烈推荐使用KIA 4403B,在设计高效率、高可靠性的电力电子系统时,它将是一个理想的选择。

KPE4403B参数

参数
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8

KPE4403B厂商介绍

KIA(起亚汽车公司)是一家韩国汽车制造商,成立于1944年,总部位于首尔。KIA主要生产和销售各种类型的汽车,包括轿车、SUV、MPV和新能源汽车等。

KIA的主营产品可以分为以下几个类别:

1. 轿车:如K3、K5、Stinger等,主要应用于个人和家庭出行。

2. SUV:如Sportage、Sorento等,适用于城市通勤和户外活动。

3. MPV:如Carnival、Sedona等,适合家庭出游和商务接待。

4. 新能源汽车:如Niro EV、Soul EV等,满足环保出行需求。

KIA的优势主要体现在以下几个方面:

1. 性价比高:KIA汽车在同级别车型中价格相对亲民,配置丰富。

2. 设计时尚:KIA汽车外观和内饰设计时尚动感,符合年轻消费者的审美。

3. 技术先进:KIA在新能源、智能驾驶等领域不断投入研发,技术领先。

4. 售后服务好:KIA在全球范围内建立了完善的售后服务网络,为消费者提供便利。

总之,KIA凭借高性价比、时尚设计、先进技术和优质售后服务,赢得了全球消费者的信赖和喜爱。

KPE4403B数据手册

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KIA/深圳可易亚半导体 场效应管(MOSFET) KIA/深圳可易亚半导体 KPE4403B KPE4403B数据手册

KPE4403B封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 0.3093
22500+ ¥ 0.3003
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