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KNP2404A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.5mΩ@ 10V,30A 190A TO-220
供应商型号: KNP2404A TO-220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
KIA/深圳可易亚半导体 场效应管(MOSFET) KNP2404A

KNP2404A概述

    KIA KNX2404A 190A,40V N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    KIA KNX2404A 是一款190A、40V的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于KIA公司的产品系列。
    主要功能:
    - 具有低导通电阻(RDS(on))以减小传导损耗。
    - 高雪崩电流,能够承受大电流冲击。
    - 符合RoHS标准,无铅且环保。
    应用领域:
    适用于电源供应系统和DC-DC转换器,特别适合于高效率和高可靠性要求的应用场合。

    2. 技术参数


    基本电气特性:
    - 漏源电压(VDSS):40V
    - 栅源电压(VGSS):+25V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC=25ºC(硅限制):190A
    - TC=25ºC(封装限制):120A
    - TC=100ºC(硅限制):109A
    - 脉冲漏极电流(IDP):TC=25 ºC 时可达 480A
    - 雪崩电流(IAS):46A
    - 雪崩能量(EAS):529mJ
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC=25ºC:123W
    - TC=100ºC:82W
    - 工作温度范围:-55~150ºC
    热特性:
    - 热阻(结到外壳)(Rθjc):1.02℃/W
    - 热阻(结到环境)(Rθja):80℃/W
    静态特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):40V
    - 零栅压漏电流(IDSS):- - 1μA
    - 栅阈值电压(VGS(th)):2 - 4V
    - 栅泄漏电流(IGSS):- - +100nA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):2.2 - 3.5mΩ (VGS=10V, IDS=30A)
    动态特性:
    - 输入电容(Ciss):6010pF
    - 输出电容(Coss):1400pF
    - 反向传输电容(Crss):675pF
    - 转换时间(td(ON)、tr、td(OFF)、tf)分别为:25ns、102ns、62ns、84ns

    3. 产品特点和优势


    KIA KNX2404A 的特点在于其出色的性能和高可靠性:
    - 极低的导通电阻(2.2mΩ)可显著降低功耗,提高整体能效。
    - 高达190A的连续漏极电流使得该MOSFET能够在大电流应用中稳定运行。
    - 高雪崩电流能力和大雪崩能量允许其承受瞬态大电流冲击。
    - 无铅、绿色环保的设计符合当前行业标准和要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源供应系统: 在高压环境中稳定输出,确保电力的高效传输。
    - DC-DC转换器: 在高频开关电源中提供高效的能量转换。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于高功率消耗,需要良好的散热设计以防止过热。
    - 驱动电路设计: 采用合适的栅极驱动电路,确保开关速度和开关损耗的平衡。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该MOSFET具有标准化的TO-220封装,易于与多种电路板连接。
    - 其广泛的电压和电流范围使其兼容多种电源设计。
    支持信息:
    - KIA公司提供详细的技术支持文档和测试电路参考,方便工程师进行选型和集成。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 漏极电流过大导致损坏?
    - A: 请确保负载匹配,避免瞬间大电流冲击。可以使用外部保险丝或限流电阻保护。
    - Q: 散热不良导致过热?
    - A: 加装散热片或散热风扇,增强散热效果。
    - Q: 开关频率过高引起发热?
    - A: 减少开关频率,选用更低热阻封装的器件。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    KIA KNX2404A 以其出色的电气特性和广泛的适用性,在电源管理和DC-DC转换领域表现优异。其低导通电阻和高电流处理能力使它成为高效电源管理的理想选择。
    推荐使用:
    如果您的项目需要高可靠性和高能效的解决方案,KIA KNX2404A 是一个值得考虑的优秀选择。

KNP2404A参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@ 10V,30A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 190A
通用封装 TO-220

KNP2404A厂商介绍

KIA(起亚汽车公司)是一家韩国汽车制造商,成立于1944年,总部位于首尔。KIA主要生产和销售各种类型的汽车,包括轿车、SUV、MPV和新能源汽车等。

KIA的主营产品可以分为以下几个类别:

1. 轿车:如K3、K5、Stinger等,主要应用于个人和家庭出行。

2. SUV:如Sportage、Sorento等,适用于城市通勤和户外活动。

3. MPV:如Carnival、Sedona等,适合家庭出游和商务接待。

4. 新能源汽车:如Niro EV、Soul EV等,满足环保出行需求。

KIA的优势主要体现在以下几个方面:

1. 性价比高:KIA汽车在同级别车型中价格相对亲民,配置丰富。

2. 设计时尚:KIA汽车外观和内饰设计时尚动感,符合年轻消费者的审美。

3. 技术先进:KIA在新能源、智能驾驶等领域不断投入研发,技术领先。

4. 售后服务好:KIA在全球范围内建立了完善的售后服务网络,为消费者提供便利。

总之,KIA凭借高性价比、时尚设计、先进技术和优质售后服务,赢得了全球消费者的信赖和喜爱。

KNP2404A数据手册

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KIA/深圳可易亚半导体 场效应管(MOSFET) KIA/深圳可易亚半导体 KNP2404A KNP2404A数据手册

KNP2404A封装设计

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