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KNF6165B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 900mΩ@ 10V,5A 10A TO-220F-3
供应商型号: KNF6165B TO-220F-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
KIA/深圳可易亚半导体 场效应管(MOSFET) KNF6165B

KNF6165B概述

    # KIA KNX6165B N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    KIA KNX6165B 是一款N通道增强型功率场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET),主要用于电源管理和转换系统。此款MOSFET具有出色的低导通电阻(RDS(ON))、快速开关特性和较小的门极电荷,适用于各种高效率的应用场合。
    主要功能
    - 高可靠性,可承受高达650V的电压。
    - 低RDS(ON),在10V栅极电压下的典型值为0.75Ω。
    - 快速恢复二极管特性,有助于减少开关损耗。
    - 门极电荷低,有助于减小开关过程中的能量损失。
    应用领域
    - 适配器
    - 充电器
    - 开关模式电源(SMPS)备用电源

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源击穿电压:VDSS = 650V
    - 栅源电压:VGSS = ±30V
    - 持续漏极电流:ID = 10A
    - 单脉冲漏极电流(VGS=10V):IDM = 40A
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 800mJ
    - 功率耗散(TO-220/TO-220F):PD = 125W/45W
    - 结温范围:TJ&TSTG = -55°C ~ +150°C
    热特性
    - 结到壳热阻(TO-220/TO-220F):RθJC = 1.0°C/W / 2.78°C/W
    - 结到环境热阻(TO-220/TO-220F):RθJA = 62°C/W / 100°C/W
    电气特性
    - 门限电压(VGS(TH)):2V~4V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.75Ω(VGS=10V,ID=5.0A)
    - 前向转移电导(gfs):8.0S
    - 输入电容(Ciss):1650pF
    - 输出电容(Coss):125pF
    - 反向传输电容(Crss):13pF
    - 总门极电荷(Qg):30nC

    产品特点和优势


    KIA KNX6165B 具有以下显著特点和优势:
    - 低RDS(ON):其典型值仅为0.75Ω,在栅极电压为10V时,这大大减少了电路中的导通损耗。
    - 高速开关特性:通过低门极电荷(Qg)设计,可以有效降低开关过程中的能量损耗。
    - 高可靠性:最大电压650V,能够满足大多数应用中的高压需求。
    - 紧凑封装:提供TO-220和TO-220F两种封装形式,便于集成到不同尺寸的设计中。

    应用案例和使用建议


    KIA KNX6165B 在以下应用中有广泛的应用:
    - 适配器:作为核心电源转换元件,利用其高效率的特性提高输出质量。
    - 充电器:适合用于高频充电器,减少充电过程中的热损失,提升整体效率。
    - SMPS备用电源:在开关模式电源系统中,KIA KNX6165B 的低RDS(ON) 和高速开关特性使其成为理想的选择。
    使用建议
    - 当设计开关模式电源系统时,考虑到KIA KNX6165B 的低RDS(ON) 特性,可以优化电路布局以最大限度地减少能量损耗。
    - 在高频电路中,选择合适的栅极电阻(Rg)以保证最佳的开关时间(td(ON)/tfall),避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    KIA KNX6165B 支持多种封装形式,包括TO-220和TO-220F,从而与现有系统无缝集成。KIA 提供详尽的技术支持,确保用户能够高效地部署和优化产品应用。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 门极电压过高导致损坏 | 确保门极电压不超过±30V |
    | 导通电阻异常升高 | 检查门极电压是否达到10V以上,如果需要可适当增加门极驱动信号 |
    | 开关过程中温度过高 | 优化散热设计,或者增加外部冷却装置 |

    总结和推荐


    KIA KNX6165B 以其卓越的性能参数和广泛的适用性,非常适合于需要高效能、低损耗的电源管理及转换应用。其紧凑的封装设计和易于实现的特性使其成为许多现代电子产品中的理想选择。如果您正在寻找一款可靠且高效的MOSFET来优化您的设计,强烈推荐使用KIA KNX6165B。

KNF6165B参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 900mΩ@ 10V,5A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F-3

KNF6165B厂商介绍

KIA(起亚汽车公司)是一家韩国汽车制造商,成立于1944年,总部位于首尔。KIA主要生产和销售各种类型的汽车,包括轿车、SUV、MPV和新能源汽车等。

KIA的主营产品可以分为以下几个类别:

1. 轿车:如K3、K5、Stinger等,主要应用于个人和家庭出行。

2. SUV:如Sportage、Sorento等,适用于城市通勤和户外活动。

3. MPV:如Carnival、Sedona等,适合家庭出游和商务接待。

4. 新能源汽车:如Niro EV、Soul EV等,满足环保出行需求。

KIA的优势主要体现在以下几个方面:

1. 性价比高:KIA汽车在同级别车型中价格相对亲民,配置丰富。

2. 设计时尚:KIA汽车外观和内饰设计时尚动感,符合年轻消费者的审美。

3. 技术先进:KIA在新能源、智能驾驶等领域不断投入研发,技术领先。

4. 售后服务好:KIA在全球范围内建立了完善的售后服务网络,为消费者提供便利。

总之,KIA凭借高性价比、时尚设计、先进技术和优质售后服务,赢得了全球消费者的信赖和喜爱。

KNF6165B数据手册

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KIA/深圳可易亚半导体 场效应管(MOSFET) KIA/深圳可易亚半导体 KNF6165B KNF6165B数据手册

KNF6165B封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 1.725
3000+ ¥ 1.65
7000+ ¥ 1.545
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起订量: 1000 增量: 1000
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