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WST05P06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 11nC@ 0.8V 80mΩ@4.5V,-4.9mA 4.9A SOT-23-6L
供应商型号: WST05P06 SOT-23-6L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST05P06

WST05P06概述


    产品简介


    WST05P06 P-Ch MOSFET 是一款高密度沟槽结构的P沟道MOSFET,专为高频同步降压转换器设计,适用于移动电脑(MB/NB)、超便携式电脑(UMPC)和视频图形阵列(VGA)等领域。此外,它还广泛应用于网络直流电源系统及负载开关。

    技术参数


    - VDS(漏源电压): -60V
    - VGS(栅源电压): ±20V
    - ID@TC=25℃(连续漏极电流,栅源电压为-4.5V): -4.9A
    - ID@TC=70℃(连续漏极电流,栅源电压为-4.5V): -3.3A
    - IDM(脉冲漏极电流): -11A
    - PD@TA=25℃(总功耗): 1.3W
    - TSTG(存储温度范围): -55°C 至 150°C
    - TJ(工作结温范围): -55°C 至 150°C
    - RθJA(结-环境热阻): 125°C/W
    - RθJC(结-外壳热阻): 80°C/W

    产品特点和优势


    1. 先进高密度沟槽技术:提供了卓越的RDSON和栅电荷,使产品具有出色的高频性能。
    2. 低栅电荷:减少驱动能耗,提高效率。
    3. 优秀的CdV/dt效应衰减:确保低噪声和稳定的信号传输。
    4. 环保产品:符合RoHS和绿色环保要求,适合各种应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 点对点高频同步降压转换器:适用于笔记本电脑和其他便携设备的电源管理系统。
    - 网络DC-DC电源系统:提供高效稳定的电源输出,确保网络设备的正常运行。
    - 负载开关:适用于需要频繁开关操作的场合,如数据中心和工业控制系统。
    使用建议:
    - 在高频应用中,确保散热措施到位,以避免过热损坏。
    - 考虑到温度变化的影响,设计时应合理选择工作条件,避免超过最大额定值。


    兼容性和支持


    该产品与标准SOT-23-6L封装兼容,可以轻松集成到现有的电路设计中。制造商提供了全面的技术支持和质量保证,包括产品认证和使用指南,帮助用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何防止过热?
    - A: 确保使用适当的散热片或风扇,或者在设计时考虑散热路径,保证良好的空气流通。
    2. Q: 如何测试漏源泄漏电流?
    - A: 使用标准测试方法,在指定温度下进行测量,确保所有参数都在额定范围内。
    3. Q: 如何优化电源系统的性能?
    - A: 调整栅极电压和电流设置,使其在最优工作点运行,同时考虑外部组件的选择以减少寄生电容和电感。

    总结和推荐


    WST05P06 P-Ch MOSFET 是一款高性能、高可靠性的MOSFET,特别适合于高频同步降压转换器、网络DC-DC电源系统及负载开关等应用。其独特的技术和优势使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐给需要高性能、高效能的电源管理解决方案的设计者和工程师们。

WST05P06参数

参数
Id-连续漏极电流 4.9A
通道数量 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 11nC@ 0.8V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@4.5V,-4.9mA
通用封装 SOT-23-6L

WST05P06数据手册

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WST05P06封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.8235
15000+ ¥ 0.7988
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