处理中...

首页  >  产品百科  >  WSD40200DN56G

WSD40200DN56G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD40200DN56G DFN5X6-8L
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD40200DN56G

WSD40200DN56G概述

    WSD40200DN56G N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型:
    WSD40200DN56G 是一款先进的 N 沟道功率 MOSFET,采用了 Super Junction Technology(SGT)技术制造。这种技术使该器件具备低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷、快速开关速度以及卓越的雪崩耐受能力。
    主要功能:
    - 极低的导通电阻,适用于高频及高效率应用。
    - 高效的开关性能,适合用于同步整流和逆变器设计。
    - 良好的热稳定性和一致性,确保在恶劣工作条件下的可靠运行。
    应用领域:
    - 消费类电子产品电源管理(如笔记本电脑适配器、手机充电器等)。
    - 同步整流应用。
    - 逆变器及其他需要高效能转换的应用场景。

    技术参数


    以下是 WSD40200DN56G 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS | - | 40 | - | V |
    | VGS | ±20 | - | - | V |
    | ID@TC=25℃ | - | 180 | - | A |
    | ID@TC=100℃ | - | 125 | - | A |
    | IDM | - | 750 | - | A |
    | EAS | - | 420 | - | mJ |
    | AAS | - | 70 | - | A |
    | PD@TC=25℃ | - | 68 | - | W |
    | TSTG | -55 | - | 150 | ℃ |
    | TJ | -55 | - | 150 | ℃ |
    | RθJA | - | 1 | 25 | ℃/W |
    | RθJC | - | 1.4 | - | ℃/W |

    产品特点和优势


    产品特点:
    1. 极低的导通电阻(RDS(ON)),典型值仅为 1.15 mΩ,减少功耗并提高效率。
    2. 高速开关性能,支持快速的开关转换。
    3. 优异的雪崩特性,能够承受较大的瞬态电流冲击。
    4. 紧凑的设计便于 PCB 布局。
    产品优势:
    - 在消费电子领域具有显著的成本效益优势。
    - 高效能使其特别适合于需要高密度集成和低功耗的应用场合。
    - 出色的温度适应性使得它能够在广泛的工业环境中稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 同步整流器:该器件被广泛应用于高效率的同步整流电路中,例如笔记本电脑充电器和服务器电源。
    2. 逆变器:利用其快速开关特性,在光伏逆变器中实现高效的能量转换。
    使用建议:
    - 在设计过程中,确保 PCB 布线合理,避免寄生效应对器件性能的影响。
    - 注意热设计,尤其是对于高功率应用,应选择合适的散热片或风扇以保持良好的散热效果。
    - 测试时需严格遵循脉冲测试条件,避免长时间过压操作导致损坏。

    兼容性和支持


    兼容性:
    WSD40200DN56G 可与主流 PCB 设计工具兼容,并且可以通过标准焊接工艺安装到电路板上。其封装形式为 DFN5X6-8,方便贴片生产。
    支持服务:
    Winsok 提供详尽的技术文档和专业的技术支持团队,帮助客户解决在产品选型和实际应用中遇到的各种问题。此外,还提供样品申请和批量采购服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻偏高 | 检查 VGS 是否达到阈值电压 |
    | 开关速度慢 | 调整栅极驱动电阻以加快响应时间 |
    | 温度过高 | 改进散热设计或降低负载电流 |

    总结和推荐


    综合评估:
    WSD40200DN56G N-Channel MOSFET 是一款高性能的功率半导体器件,凭借其卓越的电气特性和可靠的稳定性,在消费电子、通信设备及工业控制等领域展现了强大的竞争力。特别是在需要高效率、紧凑布局和良好热管理的应用场景中,该产品表现出色。
    推荐结论:
    强烈推荐 WSD40200DN56G 作为高效能应用的理想选择,无论是用于消费电子产品还是工业级设备,都能带来显著的性能提升和成本节约。不过,在极端环境下使用前,请务必咨询专业工程师进行详细评估。

WSD40200DN56G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 DFN-8

WSD40200DN56G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD40200DN56G WSD40200DN56G数据手册

WSD40200DN56G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 7.2771
15000+ ¥ 7.0588
25000+ ¥ 6.8471
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 36385.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504