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WSR140N12

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSR140N12 TO-220-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR140N12

WSR140N12概述

    高频同步降压转换器用高性能N沟道MOSFET:WSR140N12

    产品简介


    WSR140N12是一款高性能的N沟道功率MOSFET器件,采用了先进的深槽工艺技术,具有极高的单元密度。它适用于高频点对点(Point-of-Load)同步降压转换器及网络DC-DC电源系统。该产品符合RoHS标准和绿色环保要求,并通过了全部单脉冲雪崩能量保证测试及全面功能可靠性验证。凭借其卓越的低导通电阻(RDSON)和快速开关性能,WSR140N12成为众多电力电子应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本规格:
    - BVDSS(漏源击穿电压):120V
    - RDSON(导通电阻):5.0~6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A
    - ID(连续漏极电流):140A @ VGS=10V, TC=25°C
    - VGS(th)(门限电压):2.0~4.0V @ ID=250μA
    - Qg(总门电荷):68.9nC
    - 热阻抗:
    - RθJC(结至壳体热阻):0.65℃/W
    - RθJA(结至环境热阻):62℃/W
    - 极限参数:
    - IDM(最大脉冲漏极电流):330A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):400mJ
    - PD(总功耗,Ta=25°C时):192W

    产品特点和优势


    1. 先进工艺技术:采用高密度深槽技术,提供更低的导通电阻和更优异的性能表现。
    2. 超低门电荷:减少开关损耗,提升效率。
    3. 出色的反向转移电容特性:有效降低dv/dt效应的影响。
    4. 可靠性保障:100%单脉冲雪崩能量保证,确保长期稳定运行。
    5. 绿色环保设计:符合RoHS和无铅化标准。

    应用案例和使用建议


    WSR140N12广泛应用于高频率的DC-DC转换器中,尤其是在网络通信、服务器、存储设备等领域。对于需要高效能、高可靠性的场合尤为适用。例如,在数据中心的电源管理模块中,可作为主控MOSFET来实现高效的能量转换。
    为了最大化利用WSR140N12的优势,在设计时应注意以下几点:
    - 确保良好的散热设计以维持最佳工作温度范围(-55℃至+150℃)。
    - 配合适当的驱动电路,确保门极驱动信号足够强且干净,以避免误触发或开关速度下降。
    - 注意布局设计,尽量缩短PCB上的走线长度,减少寄生电感和电阻带来的影响。

    兼容性和支持


    WSR140N12支持主流封装形式TO-220-3L,易于集成到现有系统中。此外,WinSOK公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括样品申请、技术支持热线以及在线论坛交流平台,方便客户快速解决问题并获得专业指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热现象 | 检查散热措施是否到位;调整驱动电路参数 |
    | 输出波形失真严重 | 检查输入电压稳定性;优化滤波电路设计 |
    | 设备启动后无法正常工作 | 核对连接线路是否正确;检查供电条件是否满足 |

    总结和推荐


    综上所述,WSR140N12凭借其优秀的电气特性和广泛的适用范围,在高频同步降压转换器领域展现出了强大的竞争力。如果您正在寻找一款高效、可靠的功率MOSFET解决方案,则WSR140N12无疑是一个值得考虑的选择。强烈推荐给从事相关领域的工程师和技术人员使用。

WSR140N12参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
通用封装 TO-220-3L

WSR140N12数据手册

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WSR140N12封装设计

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