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WSF2040

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF2040 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF2040

WSF2040概述

    WSF2040 N-Ch MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WSF2040 是一款高性能的沟槽型N通道MOSFET,具备极高的单元密度,提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷,适用于高频点对点同步降压转换器(MB/NB/UMPC/VGA)、网络DC-DC电源系统以及负载开关等应用。它符合RoHS标准及绿色产品要求,保证100%雪崩能量承受能力,具有全功能可靠性认证。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源电压(VDS):20V
    - 栅源电压(VGS):±12V
    - 连续漏电流(VGS @ 10V,TC=25℃):45A
    - 连续漏电流(VGS @ 10V,TC=100℃):28A
    - 脉冲漏电流(IDM):80A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):150mJ
    - 雪崩电流(IAS):40A
    - 总功率耗散(PD,TC=25℃):60W
    - 热阻(稳态,J-A):62℃/W
    - 热阻(J-C):4.0℃/W
    - 其他特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):20V
    - 漏源导通电阻(RDS(ON)):6.2mΩ @ 4.5V,25A
    - 门限电压(VGS(th)):0.4~1.1V
    - 前向传输增益(gfs):10S @ 5V,30A
    - 总栅极电荷(Qg):19nC @ 4.5V,10V,15A
    - 输入电容(Ciss):1450pF @ 10V,0V,1MHz

    3. 产品特点和优势


    - 先进高密度沟槽技术:提供出色的性能和可靠度。
    - 超低栅极电荷:提高能效,降低功耗。
    - 优秀的CdV/dt效应下降:减少噪声干扰,提高稳定性。
    - 100%雪崩能量保证:确保在极端条件下的可靠运行。
    - 绿色环保装置:符合RoHS和绿色产品要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该产品广泛应用于高性能电源管理系统、同步降压转换器、网络DC-DC电源系统以及负载开关等场合。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议在实际应用中根据具体需求选择合适的驱动电路,并遵循制造商提供的指导原则进行设计和测试。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他标准的电源管理和控制组件兼容,适用于多种应用场景。
    - 支持:Winsok提供全面的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障排除以及产品质量保证。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品在高温环境下运行时性能下降?
    - 解决方案:增加散热措施,如使用高效散热器或改进散热设计。
    - 问题2:产品在瞬态状态下出现不稳定现象?
    - 解决方案:检查电路设计,确保适当的缓冲电路和滤波器。

    7. 总结和推荐


    总结:WSF2040 N-Ch MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,具有优秀的性能指标和广泛的应用范围。其独特的技术特性和优良的性能使其在众多电源管理应用中表现出色。
    推荐:鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐该产品用于需要高效率、高可靠性的电力管理应用中。

WSF2040参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-252

WSF2040数据手册

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WSF2040封装设计

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