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WSD25280DN56G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD25280DN56G DFN5X6-8L
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD25280DN56G

WSD25280DN56G概述

    WSD25280DN56G N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型: N-沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Ch MOSFET)
    主要功能: 高频同步降压转换器的应用
    应用领域:
    - 高频点对点负载同步降压转换器
    - 网络通信直流-直流电源系统
    - 功率工具应用

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 25 | —— | —— | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | —— | —— | V |
    | 连续漏电流(硅限流)@ TC=25℃ | ID | —— | 280 | —— | A |
    | 连续漏电流(硅限流)@ TC=70℃ | ID | —— | 190 | —— | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | —— | —— | 600 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | —— | —— | 1200 | mJ |
    | 雪崩电流 | IAS | —— | —— | 100 | A |
    | 总功耗 @ TC=25℃ | PD | —— | —— | 83 | W |
    | 结温存储范围 | TSTG | -55 | —— | 150 | ℃ |
    | 工作结温范围 | TJ | -55 | —— | 150 | ℃ |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | —— | 2.5 | V |
    | 栅源漏电电流 | IGSS | —— | —— | ±100 | nA |
    | 前向跨导 | gfs | —— | 40 | —— | S |

    3. 产品特点和优势


    - 高级高密度沟槽技术: 为同步降压转换器应用提供了极低的 RDS(ON) 和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷: 减少开关损耗。
    - 出色的 Cdv/dt 效果降低: 使系统更加稳定。
    - 100% 雪崩能量保证: 产品经过全面的功能可靠性测试。
    - 环保设备可用: 符合 RoHS 和绿色产品要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频点对点负载同步降压转换器: 用于需要快速响应的场合。
    - 网络通信直流-直流电源系统: 需要稳定的电源供应。
    - 功率工具应用: 需要耐用且高效的电子组件。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,确保散热良好,以防止过热损坏。
    - 在设计电路时,考虑到总功耗的限制,选择合适的外围电路元件。
    - 为提高稳定性,可以增加适当的保护电路,如过温保护。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品可与多数主流的直流-直流电源系统和其他功率工具设备兼容。
    - 支持: 产品由 Winsok Semiconductor 提供全面的技术支持和售后保障。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致损坏 | 确保良好的散热措施,如使用散热片或强制冷却。 |
    | 电流过大 | 确认电源输入电压及电流不超过额定值。 |
    | 开关频率不稳定 | 检查栅极电阻设置,适当调整栅极电荷。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: 极低的 RDS(ON) 和栅极电荷,适用于高频同步降压转换器。符合RoHS标准,具有可靠的雪崩能量保证。
    - 推荐: 推荐在需要高效能、高可靠性的高频应用场合使用。特别是在网络通信和功率工具应用中表现出色。
    总之,WSD25280DN56G N-Ch MOSFET 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。通过合理的设计和使用,可以发挥出其最佳性能。

WSD25280DN56G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 DFN-8

WSD25280DN56G数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD25280DN56G WSD25280DN56G数据手册

WSD25280DN56G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 4.9412
25000+ ¥ 4.7929
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