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WSR135N15

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSR135N15 TO-220-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR135N15

WSR135N15概述

    WSR135N15 N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSR135N15 是一款高性能的沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Ch MOSFET)。该器件以其极高的单元密度而著称,为同步降压转换器应用提供了出色的 RDS(ON) 和栅极电荷特性。WSR135N15 符合RoHS标准,采用绿色环保设计,100% 的单脉冲雪崩能量保证,可靠性经过全面验证。主要应用于电视转换器中的电源管理、DC-DC转换器和LED背光等领域。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDS):150 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID, TC=25°C):135 A
    - 连续漏电流 (ID, TC=100°C):80 A
    - 脉冲漏电流 (IDM, TC=25°C):360 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):406 mJ
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):43 A
    - 总功耗 (PD, TC=25°C):160 W
    - 总功耗 (PD, TC=100°C):75 W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55 to 150 °C
    - 工作结温范围 (TJ):150 °C
    - 热特性
    - 热阻 (RθJA):1至62 °C/W
    - 结到外壳热阻 (RθJC):0.78 °C/W

    产品特点和优势


    1. 先进的高密度沟槽技术:提供更低的 RDS(ON) 和更小的栅极电荷。
    2. 低栅极电荷:降低开关损耗,提高效率。
    3. 优秀的 dV/dt 效果衰减:确保稳定的工作性能。
    4. 100% 雪崩能量保证:确保在极端条件下可靠工作。
    5. 绿色环保设计:符合RoHS标准,环保可靠。

    应用案例和使用建议


    WSR135N15 主要应用于同步降压转换器、电视转换器和LED背光驱动等场合。例如,在LED背光驱动中,其高效的性能可以显著提升系统的能效和稳定性。使用时应注意散热设计,避免因过热导致性能下降。建议在高温环境下使用时加强散热措施,如增加散热片或风扇,以保持在额定温度范围内运行。

    兼容性和支持


    WSR135N15 采用标准的TO-220封装,适用于多种应用场合。Winsok公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、应用咨询和技术培训等,帮助客户更好地使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的工作温度导致器件性能下降。
    - 解决办法:加强散热设计,使用外部散热装置如散热片或风扇,确保工作温度不超过规定的范围。

    2. 问题:器件启动时电流过大。
    - 解决办法:检查电路设计,适当调整驱动电阻,减小电流冲击。

    总结和推荐


    总体而言,WSR135N15 N-Ch MOSFET 凭借其高性能、低功耗和良好的可靠性,非常适合用于各种高效率的电力转换应用。其优秀的热特性和低栅极电荷使得它在实际应用中表现出色。强烈推荐在同步降压转换器、电视转换器和LED背光驱动等领域使用该产品。

WSR135N15参数

参数
FET类型 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220AB

WSR135N15数据手册

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WSR135N15封装设计

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