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WST2304A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST2304A SOT-23L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2304A

WST2304A概述

    WST2304A N-Ch MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WST2304A 是一款高性能的沟槽式 N-沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,适用于多种小功率开关和负载切换应用。该产品符合RoHS标准,确保在广泛应用中保持全功能可靠性。该器件采用先进的高密度沟槽技术,提供超低栅极电荷和出色的 Cdv/dt 效应下降。

    2. 技术参数


    - 工作电压
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±12 V
    - 电流
    - 在25°C时连续漏电流 (ID): 5.2 A (VGS @ 10V)
    - 在70°C时连续漏电流 (ID): 4.2 A (VGS @ 10V)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 18 A
    - 功耗
    - 在25°C时总耗散功率 (PD): 1 W
    - 在70°C时总耗散功率 (PD): 0.64 W
    - 温度范围
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 到 150°C
    - 工作结温范围 (TJ): -55°C 到 150°C
    - 热阻
    - 结-环境热阻 (RθJA): 125°C/W (t ≤10s),95°C/W (t ≤10s)
    - 结-外壳热阻 (RθJC): 80°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 先进高密度沟槽技术:提供了极低的 RDS(ON) 和栅极电荷,提高了开关效率。
    - 超低栅极电荷:有助于减少开关损耗,提高系统效率。
    - 优秀的 Cdv/dt 效应下降:有助于减小开关过程中的振铃现象。
    - 绿色设备可选:符合环保标准,有助于减少对环境的影响。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 高频点对点同步:适用于主板、笔记本电脑、超级移动电脑和VGA系统的小功率开关。
    - 网络DC-DC电源系统
    - 负载开关
    - 使用建议
    - 在高频应用中,注意散热设计以防止过热。可以通过增加散热片来增强散热效果。
    - 在大电流应用中,确保良好的电路布局,避免因线路阻抗导致的电压降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - WST2304A 可与多种设备和其他电子元器件良好兼容。

    - 支持和维护
    - 生产商提供了详细的技术手册和专业技术支持,以帮助用户更好地使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备过热。
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或风扇以降低设备温度。
    - 问题2:开关效率低。
    - 解决方案:确保正确的栅极电阻设置,并检查电路布局以减少线路阻抗。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WST2304A 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET,具有低功耗、高效率和优良的散热性能。特别适合应用于高频点对点同步和网络DC-DC电源系统。强烈推荐此产品用于需要高性能开关和负载切换的应用场合。

WST2304A参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-23

WST2304A数据手册

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WST2304A封装设计

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