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WSP4435A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSP4435A SOP-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4435A

WSP4435A概述

    # WSP4435A P-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSP4435A 是一款由Winsok公司生产的高性能P沟道MOSFET,采用先进的高密度沟槽技术制造。该器件适用于高频点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统和负载开关等多种应用场景。WSP4435A 具有出色的静态导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷(Gate Charge),为同步降压转换器提供了优秀的性能表现。此外,WSP4435A 符合RoHS标准,具有绿色环保特性,100%通过单脉冲雪崩能量测试,确保全面的功能可靠性。

    技术参数


    以下是WSP4435A的主要技术参数:
    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | -30 | - | - | V |
    | VGS | 门极-源极电压 | ±20 | ±20 | ±20 | V |
    | ID | 持续漏极电流 | -8 | - | -6.5 | A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 | - | - | -32 | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 49 | - | - | mJ |
    | PD | 总功率耗散 | - | - | 2.0 | W |
    | RθJA | 结-环境热阻 | - | - | 90 | °C/W |
    | RθJC | 结-外壳热阻 | - | - | 50 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 高级高密度沟槽技术:采用先进工艺提高性能和密度。
    2. 超级低门极电荷:减少开关损耗,提高效率。
    3. 优秀的CdV/dt效应降低:改善动态性能。
    4. 100%单脉冲雪崩能量保证:可靠的安全性能。
    5. 绿色环保设备可用:符合环保标准,适合现代绿色设计。

    应用案例和使用建议


    WSP4435A 在多个应用场景中表现出色,例如:
    - 高频点对点同步降压转换器:适用于移动便携式设备(如MB/NB/UMPC/VGA)。
    - 网络DC-DC电源系统:提供高效的电源管理解决方案。
    - 负载开关:用于需要高效控制的应用场合。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,选择适当的驱动电路以最大限度地减少开关损耗。
    - 确保散热设计符合热阻要求,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    WSP4435A 可与其他兼容的电子元器件一起使用。Winsok公司提供全面的技术支持,包括产品文档、技术支持和售后服务。请参阅Winsok官方网站以获取更多详细信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过温保护未触发
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,确保良好的热传导路径。

    2. 问题:开关时间不稳定
    - 解决方法:调整驱动电路参数,优化门极电阻(Rg)值。

    总结和推荐


    WSP4435A P-Ch MOSFET凭借其出色的性能和多种优势,在高频同步降压转换器和其他电力电子应用中表现出色。该产品在绿色设计和高可靠性方面也具有明显的优势。总体而言,强烈推荐使用WSP4435A来满足各种电源管理和控制需求。

WSP4435A参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8

WSP4435A数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP4435A WSP4435A数据手册

WSP4435A封装设计

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9000+ ¥ 0.3529
15000+ ¥ 0.3424
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