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WSR30N65C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSR30N65C TO-220-3L
供应商: 期货订购
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR30N65C

WSR30N65C概述


    产品简介


    WSR30N65C是一款高性能的N沟道超级结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由WinSok公司生产。这种类型的电子元器件广泛应用于高频点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统以及负载开关等领域。它的设计旨在满足工业交流/直流开关模式电源系统(SMPS)的需求,特别适用于功率因数校正(PFC)、交流/直流电源转换以及工业电源应用。

    技术参数


    - VDS (漏源电压):650 V
    - VGS (栅源电压):±30 V
    - ID@TC=25℃ (连续漏极电流):28 A
    - ID@TC=100℃ (连续漏极电流):18 A
    - IDM (脉冲漏极电流):112 A
    - EAS (单脉冲雪崩能量):676 mJ
    - PD (总功耗):260 W
    - TSTG (存储温度范围):-55 to 150 ℃
    - TJ (工作结温范围):-55 to 150 ℃
    - RθJA (结到环境热阻):62.5 ℃/W
    - RθJC (结到壳体热阻):0.48 ℃/W

    产品特点和优势


    1. 先进的高密度槽栅技术:WSR30N65C采用了先进的槽栅超级结技术,提供了卓越的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。
    2. 优秀的dv/dt响应:具有良好的dv/dt响应效果,减少在快速切换过程中的电压尖峰。
    3. 绿色环保:该产品符合RoHS和绿色产品要求,确保环保标准。
    4. 高可靠性:通过全功能可靠性的认证,保证了产品的长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    WSR30N65C广泛应用于各种高压电力转换场景,如高频点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统以及负载开关。根据手册中的信息,这类MOSFET适合于需要高可靠性和低损耗的应用环境。
    - 使用建议:在实际应用中,需注意热管理,以避免由于过高的温度导致性能下降或损坏。合理选择散热片或其他散热措施,确保结温不超过最大值(150℃)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSR30N65C与常见的电源系统及电路板设计高度兼容。
    - 支持:WinSok公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够获得最佳的产品体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品长时间工作后出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或风扇,确保良好的热管理。

    - 问题2:在某些情况下,产品无法正常开启。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保正确的栅极驱动电压和驱动电流,以达到所需的导通状态。

    总结和推荐


    WSR30N65C是一款高性能的N沟道超级结MOSFET,具备先进的技术特点和广泛应用场景。其优异的性能和可靠的品质使其成为高压电力转换应用的理想选择。我们强烈推荐该产品给需要高效率和高可靠性的工程师和技术人员。

WSR30N65C参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220

WSR30N65C数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSR30N65C WSR30N65C数据手册

WSR30N65C封装设计

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