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WST3415A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST3415A SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3415A

WST3415A概述

    # WST3415A P-Ch MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    基本信息
    WST3415A 是一款高性能的沟槽型 P 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度。它主要应用于小功率开关和负载开关领域,能够提供优异的 RDSON(导通电阻)和栅极电荷。
    主要功能
    - 高密度单元结构:提供更高的电流密度。
    - 低导通电阻:适用于多种开关应用。
    - 低栅极电荷:有助于提高效率和降低功耗。
    - 高可靠性:符合 RoHS 和环保要求,具备全面的功能可靠性认证。
    应用领域
    - 高频点对点同步降压转换器(适用于移动笔记本电脑、超级移动 PC 等)
    - 网络 DC-DC 电源系统
    - 具备 ESD 保护(3KV)

    技术参数


    电气特性
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS (Drain-Source Voltage) | -20 | - | - | V |
    | VGS (Gate-Source Voltage) | ±12 | - | - | V |
    | ID@TC=25℃ (Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V) | -5.3 | - | - | A |
    | ID@TC=70℃ (Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V) | -3.0 | - | - | A |
    | IDM (Pulsed Drain Current) | - | - | -17 | A |
    | PD@TA=25℃ (Total Power Dissipation) | - | - | 1.0 | W |
    温度特性
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | TSTG (Storage Temperature Range) | -55 | - | 150 | ℃ |
    | TJ (Operating Junction Temperature Range) | -55 | - | 150 | ℃ |
    | RθJA (Thermal Resistance Junction-Ambient) | - | - | 110 | ℃/W |
    | RθJC (Thermal Resistance Junction-Case) | - | - | 70 | ℃/W |
    特性曲线
    - 输出特性
    - 导通电阻 vs. 栅极-源极电压
    - 正向特性
    - 门电荷特性
    - 容量特性
    - 功率热响应

    产品特点和优势


    - 高密度单元结构:提高了电流密度,降低了整体体积。
    - 低导通电阻(RDSON):典型值为 58 mΩ,可有效降低功耗。
    - 低栅极电荷:有助于提高系统的总体效率。
    - 优秀的 CdV/dt 效应下降:减少栅极震荡,提高系统稳定性。
    - 绿色环保:符合 RoHS 标准,是绿色产品。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 高频点对点同步降压转换器:适用于移动笔记本电脑、超级移动 PC 等。
    - 网络 DC-DC 电源系统:适合于数据中心、电信设备等。
    使用建议
    - 在高频应用中,选择合适的栅极电阻来优化门电荷传输。
    - 在高电流应用中,确保良好的散热设计,以避免过热。

    兼容性和支持


    兼容性
    WST3415A 与多种标准接口兼容,适用于不同类型的 PCB 设计。
    支持和维护
    Winsok 提供全面的技术支持和维护服务,确保客户能够高效地使用产品并解决问题。

    常见问题与解决方案


    问题及解决方案
    1. 温度过高
    - 解决方案:改善散热设计,确保良好的热管理。

    2. 效率不高
    - 解决方案:检查电路设计,优化栅极电阻,以降低栅极电荷。
    3. 启动延迟时间长
    - 解决方案:选择合适的驱动电路,以加快门电荷传输。

    总结和推荐


    综合评估
    WST3415A 在小功率开关和负载开关应用中表现出色,具备高性能、高可靠性和绿色环保的特点。其独特的单元密度和低导通电阻使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐使用
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用 WST3415A P-Ch MOSFET,特别是对于需要高密度和高效率的小功率转换应用。

WST3415A参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-23-3L

WST3415A数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST3415A WST3415A数据手册

WST3415A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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