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WSD45N10GDN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD45N10GDN56 DFN5X6-8L
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD45N10GDN56

WSD45N10GDN56概述


    产品简介


    WSD45N10GDN56是一款SGT(超薄型)N沟道MOSFET,具备极高的单元密度。 它广泛应用于直流-直流转换器、电机控制等领域。由于其卓越的RDSON(导通电阻)和栅极电荷特性,它特别适用于同步降压转换器应用。此外,WSD45N10GDN56符合RoHS标准,并且是绿色环保的产品,100% EAS(单脉冲雪崩能量)保证,可靠性得到了全面验证。

    技术参数


    | 参数 | 规格 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | 100 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 V |
    | ID@TC=25℃ | 漏电流(连续),VGS=10V | 45 A |
    | ID@TC=100℃ | 漏电流(连续),VGS=10V | 33 A |
    | ID@TA=25℃ | 漏电流(连续),VGS=10V | 12 A |
    | ID@TA=70℃ | 漏电流(连续),VGS=10V | 9.6 A |
    | IP | 脉冲漏电流 | 130 A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 169 mJ |
    | IA | 雪崩电流 | 26 A |
    | PD@TC=25℃ | 总功耗(连续) | 95 W |
    | PD@TA=25℃ | 总功耗(连续) | 5.0 W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 to 150 ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 to 150 ℃ |
    | RθJC | 热阻结-壳 | 2.4 ℃/W |

    产品特点和优势


    WSD45N10GDN56具有以下独特功能和优势:
    - 先进的高密度沟槽技术:确保高性能和高可靠性。
    - 超低栅极电荷:减少开关损耗,提高效率。
    - 出色的CdV/dt效应下降:减少电压变化带来的影响。
    - 绿色环保设备:符合RoHS和绿色环保要求。
    - 高可靠性和耐用性:100% EAS测试通过。
    这些特点使得WSD45N10GDN56在实际应用中表现优异,特别是在需要高效能和高可靠性的场合中。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 直流-直流转换器:WSD45N10GDN56在DC-DC转换器中的应用广泛,能够提供高效能的电压转换。
    2. 电机控制:适用于需要高精度和高效率的电机控制系统,如工业自动化设备。
    使用建议:
    1. 温度管理:确保散热良好,避免高温对器件造成损害。
    2. 适当驱动:根据应用场景选择合适的驱动电路,以确保器件在最佳状态下运行。
    3. 合理布局:在PCB设计中,合理安排器件的位置,以减少杂散电感和电磁干扰。

    兼容性和支持


    WSD45N10GDN56可以与其他标准接口的电子元器件或设备兼容。Winsok公司提供了详细的技术文档和支持服务,包括应用指南、电路设计参考和技术支持热线,帮助客户解决问题和优化系统性能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过大 | 检查工作温度是否超出规定范围,确保散热良好。 |
    | 开关损耗过高 | 优化电路设计,降低开关频率或选择更低RDSON的器件。 |
    | 设备损坏 | 检查电源电压是否稳定,避免超过最大额定值。 |

    总结和推荐


    综述:WSD45N10GDN56是一款高性能、高可靠性的SGT N沟道MOSFET,适合多种应用场景,特别是对效率和可靠性有较高要求的应用。它的优点包括先进的高密度沟槽技术、超低栅极电荷和绿色环保特性。Winsok公司提供的技术支持和服务也确保了客户在使用过程中的问题得到及时解决。
    推荐:鉴于其卓越的性能和适用范围,强烈推荐WSD45N10GDN56用于需要高效能和高可靠性的直流-直流转换器和电机控制等应用中。

WSD45N10GDN56参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

WSD45N10GDN56数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD45N10GDN56 WSD45N10GDN56数据手册

WSD45N10GDN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 1.9412
25000+ ¥ 1.8829
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