处理中...

首页  >  产品百科  >  WST3423

WST3423

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W 1V@ 250uA 20V 130mΩ@ 4.5V,2A 2.9A SOT-23L 贴片安装
供应商型号: WST3423 SOT-23L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3423

WST3423概述

    WST3423 P-Ch MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WST3423 是一款高性能沟槽工艺P沟道MOSFET(P-Ch MOSFET),具备极高的单元密度。该产品主要用于高频点负载同步开关、小功率转换以及负载开关等应用。适用于笔记本电脑(MB/NB)、超移动个人电脑(UMPC)、视频图形阵列(VGA)等领域的电源系统。

    2. 技术参数


    以下是WST3423的关键技术参数,这些参数详细描述了其电气特性和工作环境:
    - 电压参数
    - 漏源击穿电压(BVDSS):-20V
    - 栅源电压(VGS):±12V
    - 漏源连续电流(ID@Tc=25℃):-2.9A
    - 漏源连续电流(ID@Tc=70℃):-1.9A
    - 脉冲漏源电流(IDM):-10A
    - 温度参数
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 到 150°C
    - 工作结温范围(TJ):-55°C 到 150°C
    - 热阻抗参数
    - 热阻抗结-环境(RθJA):125°C/W
    - 热阻抗结-管壳(RθJC):80°C/W
    - 静态参数
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON))
    - VGS=-4.5V,ID=-2A:100mΩ
    - VGS=-2.5V,ID=-1A:145mΩ
    - VGS=-1.8V,ID=-1.5A:185mΩ
    - 其他电气特性
    - 栅极电阻(Rg):13.1Ω
    - 总栅极电荷(Qg):5.6nC
    - 输出电容(Coss):48pF到67pF
    - 反向转移电容(Crss):42pF到59pF

    3. 产品特点和优势


    WST3423 具备多项独特的功能和优势:
    - 高密度单元结构:采用先进的沟槽技术,提供优秀的RDS(ON)和栅极电荷。
    - 低栅极电荷:有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 优秀的Cdv/dt效应衰减:减少噪声和电磁干扰。
    - 环保材料:符合RoHS标准,为绿色设备。
    - 可靠性高:全功能可靠性的认证。

    4. 应用案例和使用建议


    根据技术手册中的应用场景示例,WST3423 主要用于小功率转换和负载开关应用,例如笔记本电脑的电源系统。以下是一些使用建议:
    - 应用建议:在高频电路中使用时,注意选择适当的散热措施,以防止过热。确保连接线路的布局合理,减少寄生电感。
    - 优化方案:在选择栅极驱动器时,可以考虑使用具有较低输出电阻的驱动器,以减少栅极驱动损耗。

    5. 兼容性和支持


    WST3423 通常与标准的小型封装(如SOT-23N)兼容。Winsok公司提供技术支持和维护服务,以帮助用户解决任何安装或操作中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    以下列出了一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:过热导致损坏。
    - 解决方案:增加散热片或使用散热风扇来降低结温。
    - 问题:开关损耗大。
    - 解决方案:优化电路设计,减少导线长度,使用更优的栅极驱动器。
    - 问题:噪声干扰。
    - 解决方案:添加滤波电容,优化电路布局以减少寄生电感。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WST3423 P-Ch MOSFET凭借其高密度单元结构、低栅极电荷、优秀的Cdv/dt效应衰减和环保特性,成为高频小功率转换和负载开关应用的理想选择。其高可靠性和完善的制造商支持使其在市场上具有很强的竞争优势。因此,我们强烈推荐此产品用于相关应用领域。

WST3423参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 4.5V,2A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 1W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
配置 -
Id-连续漏极电流 2.9A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250uA
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 SOT-23L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST3423数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST3423 WST3423数据手册

WST3423封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.144
9000+ ¥ 0.1416
15000+ ¥ 0.138
库存: 228996
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 432
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831