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WSP4435

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2W 2.5V@ 250uA 30V 20mΩ@ 10V,8.2A 8.2A SOP-8L 贴片安装
供应商型号: 14M-WSP4435 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4435

WSP4435概述


    产品简介


    WSP4435是一款高性能的沟槽型P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,适用于高频率点负载同步降压转换器。它主要应用于笔记本电脑(MB/NB)、超移动平台(UMPC)、视频图形阵列(VGA)的电源系统,网络DC-DC电源系统和负载开关等领域。WSP4435符合RoHS标准,并且是100% EAS保证的绿色产品。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS (耐源极漏极电压) | -30 | - | - | V |
    | VGS (耐栅极源极电压) | ±20 | - | ±20 | V |
    | ID (连续漏极电流) | -8.2 | - | -6.5 | A |
    | IDM (脉冲漏极电流) | - | - | -32 | A |
    | EAS (单脉冲雪崩能量) | - | - | 64 | mJ |
    | AAS (雪崩电流) | - | - | -16 | A |
    | PD (总耗散功率) | - | 2.0 | - | W |
    | TSTG (存储温度范围) | -55 | - | 150 | ℃ |
    | TJ (工作结温范围) | -55 | - | 150 | ℃ |
    | RθJA (热阻结到环境) | - | - | 90 | ℃/W |
    | RθJC (热阻结到外壳) | - | - | 50 | ℃/W |
    | RDSON (静态导通电阻) | - | 16 | 20 | mΩ |
    | VGS(th) (栅极阈值电压) | -1.5 | -2.0 | -2.5 | V |

    产品特点和优势


    1. 先进的高密度沟槽技术:WSP4435采用了先进的高密度沟槽技术,提供了出色的RDSON和栅极电荷,适合大多数同步降压转换器应用。
    2. 低栅极电荷:这种特性使得MOSFET在高频应用中表现更佳,提高了整体效率。
    3. 卓越的CdV/dt效应衰减:这有助于减少开关过程中的损耗。
    4. 100% EAS保证:所有器件均经过严格的测试,确保了产品的可靠性和性能。
    5. 环保型产品:WSP4435是绿色环保产品,符合RoHS标准,适用于对环保要求较高的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高频率点负载同步降压转换器:WSP4435特别适用于笔记本电脑、超移动平台等设备中的高频率电源系统。
    - 网络DC-DC电源系统:在数据中心和通信设备中广泛使用。
    - 负载开关:用于各种需要快速开关的应用中。
    使用建议
    - 在设计高频率电源系统时,应充分考虑MOSFET的工作温度范围,以避免过热损坏。
    - 针对高频率应用,应注意栅极电荷的影响,选择合适的驱动电路。
    - 在极端环境下使用时,注意散热设计,以保持良好的工作状态。

    兼容性和支持


    - WSP4435可与常见的直流电源系统兼容,适用于多种应用场合。
    - 赢速公司提供全面的技术支持,包括产品选型指导、设计咨询和技术培训等服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何防止MOSFET过热?
    答:确保良好的散热设计,例如使用散热片或者风扇。此外,可以考虑采用热管理IC来监控温度。
    2. 问:如何提高开关效率?
    答:选用低栅极电荷的MOSFET,并确保栅极驱动电路的性能,以减少开关损耗。
    3. 问:如何避免因长时间工作导致的可靠性下降?
    答:严格按照最大额定值和操作条件范围使用,定期进行可靠性测试和维护。

    总结和推荐


    综上所述,WSP4435是一款非常优秀的P沟道MOSFET,具有高密度沟槽技术和低栅极电荷等显著优势。它在高频率电源转换器中的表现尤为出色,能够满足不同领域的应用需求。对于设计高可靠性电源系统的工程师来说,WSP4435是一个值得推荐的产品。

WSP4435参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 10V,8.2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 8.2A
最大功率耗散 2W
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSP4435数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP4435 WSP4435数据手册

WSP4435封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.7662
50+ ¥ 0.719
150+ ¥ 0.6752
500+ ¥ 0.6435
3000+ ¥ 0.6313
9000+ ¥ 0.6129
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