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WSP4447

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 32nC@ 10V 13mΩ@ 10V,13A 11A SOP-8L
供应商型号: 14M-WSP4447
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4447

WSP4447概述

    WSP4447 P-Ch MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WSP4447是一款高性能的P沟道功率MOSFET,采用先进的高密度沟槽技术制造。该产品以其极高的单元密度、出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷为特点,适用于多种同步降压转换器应用。WSP4447符合RoHS和绿色产品要求,100%能承受雪崩能量(EAS)。

    2. 技术参数


    以下是WSP4447的技术参数和关键规格:
    - 电压参数
    - 漏源击穿电压(BVDSS):-40V
    - 漏源电压(VDS):-40V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 电流参数
    - 连续漏电流(ID@TA=25℃):-11A(VGS @ -10V)
    - 连续漏电流(ID@TA=70℃):-9.0A(VGS @ -10V)
    - 脉冲漏电流(IDM):-44A(VGS=-10V)
    - 热参数
    - 总功耗(PD@TA=25℃):2.0W
    - 结点到环境热阻(RθJA):1至75℃/W
    - 结点到外壳热阻(RθJC):1至24℃/W
    - 其他电气参数
    - 静态导通电阻(RDS(ON)):13mΩ(VGS=-10V,ID=-11A)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):-1.4V 至 -2.4V
    - 输入电容(Ciss):1500pF(VDS=-15V,VGS=0V,f=1MHz)

    3. 产品特点和优势


    - 先进高密度沟槽技术:提升产品效率和可靠性。
    - 超低栅极电荷:减少开关损耗,提高能效。
    - 优秀的CdV/dt效应下降:提高开关速度,降低电磁干扰(EMI)。
    - 100% EAS保证:确保产品能在极端条件下稳定运行。
    - 绿色环保设备:满足RoHS标准,适合绿色制造需求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 高频点负载同步降压转换器,适用于笔记本电脑(MB)、平板电脑(NB)、通用微型计算机(UMPC)、视频图形阵列(VGA)等领域。
    - 网络DC-DC电源系统。
    - 负载开关应用。
    使用建议:
    - 在设计时考虑散热问题,使用大尺寸散热片或强制风冷来降低热阻。
    - 使用低阻抗接地线和短而宽的走线以减少杂散电感,避免高频振铃。
    - 在脉冲模式下使用时,确保脉冲宽度不超过300ms,占空比不超过2%。

    5. 兼容性和支持


    WSP4447采用SOP-8封装,与市面上多数兼容SOP-8封装的MOSFET插槽具有良好的互换性。Winsok半导体公司提供详细的技术支持和产品维护服务,帮助客户快速解决问题并进行有效的应用开发。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何测试产品的EAS?
    - A:可以通过脉冲测试,使用特定的测试电路来验证产品的EAS性能,确保其符合100% EAS保证的要求。

    - Q:产品出现过热现象怎么办?
    - A:首先检查散热措施是否到位,如增加散热片或优化布局。如果仍存在问题,考虑增加外部散热装置或重新设计电路以减少功耗。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    WSP4447 P-Ch MOSFET是一款性能卓越、应用广泛的电子元器件,特别适合用于高频率同步降压转换器、网络DC-DC电源系统及负载开关等应用场合。它在高温环境下的出色表现和先进的技术使其在市场上具有很高的竞争力。
    推荐意见:
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐WSP4447在上述领域中的使用。选择此款产品不仅能够提升系统的整体性能,还能确保长期稳定可靠的运行。

WSP4447参数

参数
栅极电荷 32nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 10V,13A
Id-连续漏极电流 11A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通用封装 SOP-8L

WSP4447数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP4447 WSP4447数据手册

WSP4447封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7846
50+ ¥ 1.6797
150+ ¥ 1.4991
500+ ¥ 1.1233
3000+ ¥ 1.0813
9000+ ¥ 1.0498
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