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WSR80P06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSR80P06 TO-220-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR80P06

WSR80P06概述

    WSR80P06 P-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSR80P06 是一款采用先进沟槽技术制造的 P 型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Ch MOSFET)。它具备低导通电阻(RDS(ON))和低门电荷特性,适合用作电池保护、负载开关及不间断电源(UPS)中的关键组件。WSR80P06 在低温条件下可承受高达 -60V 的漏源电压,并且可在 -10V 的门源电压下提供 -50A 的连续漏极电流。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):-60V
    - 门源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在 -10V 门源电压下,25°C 条件下为 -50A
    - 在 -10V 门源电压下,100°C 条件下为 -34A
    - 二极管连续正向电流 (IS):-20A
    - 雪崩能量 (IAS, EAS):
    - 单脉冲条件下,1 毫亨时为 45A 和 101 毫焦
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 25°C 条件下为 86.8W
    - 100°C 条件下为 35W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 至 150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C 至 150°C
    - 热阻 (RθJA):1 至 62°C/W
    - 热阻 (RθJC):1 至 1.44°C/W
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - 在 -10V 门源电压下为 13mΩ 至 18mΩ
    - 在 -4.5V 门源电压下为 18mΩ 至 25mΩ

    3. 产品特点和优势


    - 超级低门电荷:能够有效减少门极驱动所需的能量,提高系统效率。
    - 优秀的 dV/dt 效应下降:降低在高速切换时的噪声干扰。
    - 100% 雪崩能保证:确保产品在恶劣环境下依然可靠。
    - 绿色设备:符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池保护:WSR80P06 可用于电池管理系统中的过流保护,通过其高耐压和大电流能力,确保电池的安全运行。
    - 负载开关:作为负载开关使用时,可以有效控制电路中的电流流动,保证系统的稳定性和可靠性。
    - 不间断电源:在 UPS 中使用时,可提供可靠的电力转换和调节功能。
    使用建议:
    - 确保安装在良好的散热环境中,以避免过热损坏。
    - 在实际应用中,需考虑系统的总功耗限制,不要超过产品的额定值。
    - 使用过程中应注意门极驱动信号的优化,以降低能耗和减少噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    WSR80P06 支持广泛的门极驱动电压,与多种电子设备兼容。Winsok 提供详尽的技术文档和应用指南,用户可以在其官方网站获取更多支持信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:过高的漏极电流导致设备过热。
    - 解决方案:增加外部散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 问题 2:门极驱动电压不稳定。
    - 解决方案:检查门极驱动信号的质量,确保信号稳定无噪声干扰。
    - 问题 3:设备在高温环境中失效。
    - 解决方案:优化散热设计,避免设备长时间在高温环境中运行。

    7. 总结和推荐


    WSR80P06 P-Ch MOSFET 具有卓越的性能和可靠性,适用于多种应用场景,特别是在需要高性能和高可靠性的电池保护和电源管理场合。其优秀的低门电荷特性和低导通电阻使其成为理想的解决方案。因此,强烈推荐在类似项目中使用 WSR80P06。
    本手册提供了 WSR80P06 的全面技术参数和应用指导,确保用户能够在不同应用场景中高效利用该产品。

WSR80P06参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220-3L

WSR80P06数据手册

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WSR80P06封装设计

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