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WSD3056DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 7.2nC@ 10V 10mΩ@ 10V,10A 35A DFN-8
供应商型号: 14M-WSD3056DN
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD3056DN

WSD3056DN概述

    WSD3056DN Dual N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSD3056DN 是一款高性能双N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,适用于同步降压转换器等应用。该器件符合RoHS和绿色产品标准,适合电源管理模块(POL)、主板/显卡/Vcore负载开关和开关电源(SMPS)的第二级同步整流器等应用场景。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 最大漏电流(IDM):35A
    - 最大功率耗散(PD):22W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):13mJ
    - 热阻(RθJA):62℃/W
    - 工作温度范围(TJ/TSTG):-55℃至150℃
    - 阈值电压(VGS(TH)):1.2V至2.5V
    - 导通电阻(RDS(on)):13mΩ (VGS=10V)
    - 总栅极电荷(Qg):7.2nC
    - 栅源电荷(Qgs):2.3nC
    - 栅漏电荷(Qgd):3nC
    - 输入电容(Ciss):620pF
    - 输出电容(Coss):85pF
    - 反向转移电容(Crss):30pF
    - 连续源电流(IS):35A
    - 脉冲源电流(ISM):70A

    3. 产品特点和优势


    - 高级高密度槽工艺:采用先进的高密度槽工艺,提供优异的导通电阻和栅极电荷。
    - 超级低栅极电荷:低栅极电荷特性使得该器件在开关应用中表现出色。
    - 优秀的CdV/dt效应降低:显著降低信号完整性问题。
    - 100%雪崩能保证:确保器件在雪崩条件下可靠运行。
    - 绿色器件:符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    WSD3056DN 可广泛应用于各类同步降压转换器、电源管理和负载开关等场合。在实际应用中,建议根据具体应用环境调整电路设计以优化性能。例如,在高速开关应用中,需要考虑输入和输出电容的影响,选择合适的栅极电阻来优化开关时间。

    5. 兼容性和支持


    WSD3056DN 设计上考虑了广泛的兼容性,能够与其他常见的MOSFET和电源管理设备无缝集成。Winsok公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括技术文档、样品测试和定制化服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 该器件的最大漏电流是多少?
    - A: 最大漏电流为35A。
    - Q: 如何避免因过热导致的损坏?
    - A: 在设计时要确保适当的散热措施,如使用散热片或风扇。同时,注意不要超过额定的工作温度范围。
    - Q: 如何处理栅极电荷问题?
    - A: 通过合理选择栅极电阻值,可以有效地控制栅极电荷,减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    WSD3056DN 双N沟道MOSFET凭借其高性能、低导通电阻和优秀的雪崩能保证,在同步降压转换器和其他高可靠性应用中表现出色。它的易用性和高可靠性使其成为电源管理领域的理想选择。我们强烈推荐此器件用于需要高性能和高可靠性的应用环境中。

WSD3056DN参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 10V,10A
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
配置 -
Id-连续漏极电流 35A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 7.2nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 DFN-8

WSD3056DN数据手册

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WSD3056DN封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.2845
50+ ¥ 1.2089
150+ ¥ 1.079
500+ ¥ 0.8085
5000+ ¥ 0.7782
15000+ ¥ 0.7555
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