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WSC40N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 28nC@ 4.5V 20mΩ@ 10V,20A 50A TO-251-3L
供应商型号: 14M-WST2232 TO-251-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSC40N06

WSC40N06概述

    WSC40N06 N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSC40N06 是一款高性能的沟槽式 N 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度。这种 MOSFET 在同步降压转换器应用中提供了出色的导通电阻(Rdson)和栅极电荷,适用于多种高频电源转换应用。此外,WSC40N06 符合 RoHS 和绿色产品要求,经过 100% 单脉冲雪崩能量(EAS)保证,并通过全面的功能可靠性验证。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 60 V
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流(ID)
    - 环境温度为 25°C 时:50 A
    - 环境温度为 100°C 时:32 A
    - 环境温度为 25°C 时(Tc=25°C):10 A
    - 环境温度为 70°C 时(Tc=70°C):8 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 42 mJ
    - 雪崩电流(IAS): 28 A
    - 总功耗(PD)
    - 结温为 25°C 时(Tc=25°C): 53 W
    - 结温为 25°C 时(Ta=25°C): 3.5 W
    - 存储温度范围(TSTG): -55°C 至 150°C
    - 工作结温范围(TJ): -55°C 至 150°C
    - 热阻(RθJA): 62 °C/W
    - 热阻(RθJC): 2 °C/W

    产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:提供了极低的导通电阻和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:提高效率并减少功耗。
    - 卓越的 CdV/dt 效果下降:减少电磁干扰。
    - 100% EAS 保证:确保器件在恶劣条件下的可靠性和稳定性。
    - 绿色环保设备:符合 RoHS 和其他环保标准。

    应用案例和使用建议


    - 高频点负载同步降压转换器:适用于移动计算设备(如笔记本电脑、UMPC、VGA)、网络直流-直流电源系统、LCD/LED 背光等。
    - 使用建议:在高温环境下使用时,应注意散热设计,确保 MOSFET 的工作温度不超过最大允许值。对于关键应用,应考虑使用冗余设计以增强系统的可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSC40N06 可与多种电源转换器和控制电路配合使用,具体兼容性取决于电路设计和应用需求。
    - 支持:Winsok 提供详细的技术文档和在线支持,以帮助用户正确使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间在高电流下工作导致过热。
    - 解决方法:确保散热设计良好,适当降低工作电流或增加散热片。
    - 问题2:栅极电压不稳定。
    - 解决方法:检查电源稳定性和栅极电阻值,必要时添加滤波电容。

    总结和推荐


    WSC40N06 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,特别适合高频电源转换应用。其卓越的电气性能和可靠的设计使其在市场上具有很强的竞争力。考虑到其高性价比和广泛的适用范围,强烈推荐在需要高效、可靠电源转换的应用中使用 WSC40N06。

WSC40N06参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 10V,20A
栅极电荷 28nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 -
通用封装 TO-251-3L

WSC40N06数据手册

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WSC40N06封装设计

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50+ ¥ 1.4059
150+ ¥ 1.2548
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