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WSF60100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 54nC@ 4.5V 6mΩ@ 10V,20A 100A TO-252-2L
供应商型号: 31M-WSF60100
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF60100

WSF60100概述

    # WSF60100 高频同步降压转换器N沟道MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    WSF60100 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度。它广泛应用于各种高频率电源转换系统中,如移动笔记本电脑(MB/NB)、超移动个人计算机(UMPC)和视频图形阵列(VGA)的点对点负载同步降压转换器,网络直流-直流电源系统以及LCD/LED背光系统中。
    主要功能
    - 极低的导通电阻(RDS(ON))
    - 非常低的栅极电荷(Qg)
    - 出色的CdV/dt效应衰减
    - 100% EAS保证
    - 绿色环保设计
    应用领域
    - 移动笔记本电脑、超移动个人计算机及平板设备
    - 网络直流-直流电源系统
    - LCD/LED 背光系统

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | Drain-Source | 60 V |
    | VGS | Gate-Source | ±20 V |
    | ID@TC=25℃ | 连续漏极电流 100 A |
    | ID@TC=100℃ | 连续漏极电流 80 A |
    | ID@TA=25℃ | 连续漏极电流 14 A |
    | ID@TA=70℃ | 连续漏极电流 11 A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 285 | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 182 mJ |
    | IAS | 雪崩电流 60 | A |
    | PD@TC=25℃ | 总功率耗散 150 W |
    | PD@TA=25℃ | 总功率耗散 2.5 W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 175 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 175 | ℃ |

    产品特点和优势


    WSF60100 的关键特点如下:
    - 先进高密度沟槽技术:提供极低的RDS(ON),非常适合高频同步降压转换器应用。
    - 非常低的栅极电荷:减少开关损耗,提高效率。
    - 出色的CdV/dt效应衰减:有助于提高系统的稳定性和可靠性。
    - 100% EAS保证:确保安全运行区域(SOA)内的可靠操作。
    - 绿色环保设计:符合RoHS和绿色产品标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 移动笔记本电脑的同步降压转换器:利用WSF60100的高效率和低热阻特性,可以显著提升电池寿命并减少发热量。
    - 网络直流-直流电源系统:WSF60100 的高频率特性使其适用于需要快速响应时间的系统。
    - LCD/LED背光系统:极低的RDS(ON)和高电流能力使WSF60100 成为背光系统的理想选择。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应适当降低负载电流以避免过热。
    - 为了进一步提升系统的效率,可以选择更低的栅极电阻。
    - 在设计电路时,考虑增加散热片以提高系统的长期稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSF60100 可与其他常见的电源管理IC和驱动电路兼容。
    - 支持和服务:Winsok半导体公司提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利使用产品并解决潜在问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过大导致发热 | 适当降低负载电流,增加散热措施 |
    | 开关时间不满足需求 | 选择合适的栅极电阻,优化电路布局 |
    | 高温环境下的性能下降 | 使用更高的栅极电压,改善散热条件 |
    | 设备启动时不稳定 | 检查输入电压和负载状态,调整电容和电阻 |

    总结和推荐


    WSF60100 是一款专为高频电源转换系统设计的高性能N沟道MOSFET,具备优异的性能指标和可靠性。特别适合用于高要求的应用场景,如移动设备和网络基础设施。其独特的高密度沟槽技术和环保特性使其在市场上具有很强的竞争力。推荐在设计高频同步降压转换器或其他需要高效能和低功耗特性的系统时使用WSF60100。
    总之,WSF60100 凭借其卓越的技术参数、可靠的安全性和广泛的适用范围,是您理想的电源管理解决方案。

WSF60100参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 10V,20A
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 54nC@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252-2L

WSF60100数据手册

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WSF60100封装设计

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10+ ¥ 2.56
30+ ¥ 2.43
100+ ¥ 2.31
500+ ¥ 2.25
1000+ ¥ 2.15
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