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WSK200N08A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 197nC@ 10V 3mΩ@ 10V,100A 200A TO-263-2L
供应商型号: 14M-WST2231 TO-263-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSK200N08A

WSK200N08A概述

    WSK200N08A N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSK200N08A 是一款高密度沟槽式N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品专为同步降压转换器等应用提供极佳的导通电阻(Rdson)和栅极电荷特性。它符合RoHS标准,并具有全功能可靠性认证。WSK200N08A 可应用于大功率直流/交流转换器、开关电源、直流电机控制和Class D放大器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS (Drain-Source电压) 80 | V |
    | VGS (Gate-Source电压) | ±25 V |
    | ID@TC=25℃ (连续漏电流) 200 A |
    | ID@TC=100℃ (连续漏电流) 144 A |
    | IDM (脉冲漏电流) 790 | A |
    | EAS (单脉冲雪崩能量) | 160 mJ |
    | AAS (单脉冲雪崩电流) 200 | A |
    | PD@TC=25℃ (总功率耗散) 345 | W |
    | PD@TC=100℃ (总功率耗散) 173 | W |
    | TSTG (存储温度范围) | -55 175 | ℃ |
    | TJ (工作结温范围) 175 | ℃ |

    产品特点和优势


    1. 高密度沟槽技术:采用先进的高密度沟槽技术,显著提高器件性能。
    2. 超低栅极电荷:具有非常低的栅极电荷特性,可提高效率。
    3. 优秀的dv/dt效应下降:在高速切换应用中表现出色。
    4. 100%雪崩保证:确保在所有应用中可靠运行。
    5. 环保装置:符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    WSK200N08A 在各种高功率应用中表现出色,如大功率直流/交流转换器、开关电源等。为了确保最佳性能,建议在使用时注意以下几点:
    - 确保操作温度不超过最大值175℃。
    - 在设计电路时,注意栅极电阻的匹配以避免过高的栅极电压。
    - 在高频率应用中,注意寄生电容的影响,避免因振铃而导致的不稳定。

    兼容性和支持


    WSK200N08A 适用于多种封装形式,如TO-263。厂商提供全面的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中能够获得及时帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 使用散热片降低温度 |
    | 振铃现象 | 调整栅极电阻和栅极电荷 |
    | 开关损耗过大 | 减少栅极电荷和优化电路布局 |

    总结和推荐


    总体而言,WSK200N08A 是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于高功率转换器和驱动器应用。它的优点包括超低栅极电荷、优秀的dv/dt效应和可靠的雪崩特性。我们强烈推荐这款产品用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
    请注意,由于该产品的极限电流和电压较高,用户在设计电路时应严格遵守制造商的建议,确保安全运行。

WSK200N08A参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 10V,100A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
栅极电荷 197nC@ 10V
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 200A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-263-2L

WSK200N08A数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSK200N08A WSK200N08A数据手册

WSK200N08A封装设计

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10+ ¥ 5.3644
30+ ¥ 5.064
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800+ ¥ 4.2915
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