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WSP05N15

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 45mΩ@ 10V,6A 6A SOP-8L
供应商型号: WSP05N15 SOP-8L
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP05N15

WSP05N15概述


    产品简介


    WSP05N15 N-Ch MOSFET
    WSP05N15是一款采用先进高密度沟槽技术制造的N沟道MOSFET,具有出色的导通电阻(Rdson)和栅极电荷(Qg)。此产品适用于多种电力管理应用,如升压转换器的电源管理和开关模式电源系统(SMPS)中的同步整流器,同时也可以用于LED背光照明。

    技术参数


    - 工作电压:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):150V
    - 漏源电压(VDS):150V
    - 栅源电压(VGS):±25V
    - 电流能力:
    - 持续漏电流(ID@Tc=25℃, VGS @ 10V):6.0A
    - 持续漏电流(ID@Tc=70℃, VGS @ 10V):4.8A
    - 脉冲漏电流(IDM):24A
    - 热性能:
    - 热阻(RθJA):1~70°C/W
    - 热阻(RθJC):1~24°C/W
    - 其他特性:
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):36mJ
    - 雪崩电流(IAS):12A
    - 总功率耗散(PD@TA=25℃):3.5W

    产品特点和优势


    WSP05N15具备多个独特功能,使其在电力管理和转换领域表现出色:
    - 超低栅极电荷:有效降低电路功耗。
    - 出色的栅极阈值电压温度系数:确保在不同工作温度下的稳定性。
    - 符合RoHS和绿色产品标准:提供环保选项。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 适用于升压转换器的电源管理。
    - 作为SMPS中的同步整流器。
    - 用于LED背光照明。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意散热设计以保证产品在高温环境下的稳定运行。
    - 考虑到WSP05N15的栅极电荷较低,可以通过优化驱动电路来进一步提升效率。

    兼容性和支持


    - WSP05N15可以轻松与其他常用的电子元器件和设备集成。
    - 厂商提供详细的技术支持和维护服务,以帮助用户顺利部署和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品过热。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或风扇。

    - 问题2:导通电阻过高。
    - 解决方案:检查工作环境温度,确保在规定范围内使用。

    总结和推荐


    综合评估:
    WSP05N15是一款高性能的N沟道MOSFET,具有卓越的导通电阻和栅极电荷特性。它在升压转换器、SMPS以及LED背光等领域有着广泛的应用前景。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和多种优势,我们强烈推荐将WSP05N15应用于各种电力管理和转换需求中。

WSP05N15参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 10V,6A
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOP-8L

WSP05N15数据手册

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