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WST3032

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 5Ω@10V,200mA 200mA SOT-323-3L
供应商型号: 14M-WST2027 SOT-323
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3032

WST3032概述


    产品简介


    WST3032 是一款高性能的沟槽型N通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为小型电源转换和负载开关应用设计。它具有极高的单元密度,提供了出色的漏源导通电阻(Rdson)和栅极电荷。此外,WST3032 符合RoHS和绿色产品要求,并经过全面的功能可靠性认证。
    主要功能:
    - 高速开关能力
    - 绿色环保设备
    - ESD保护等级:2KV
    应用领域:
    - 高频点对点同步降压转换器(适用于移动设备、笔记本电脑和UMPC)
    - 网络DC-DC电源系统
    - 负载开关

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDS | — | 30 | — | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | — | ±20 | V |
    | 持续漏电流(25℃) | ID @ TA=25℃ | — | 200 | — | mA |
    | 持续漏电流(70℃) | ID @ TA=70℃ | — | 100 | — | mA |
    | 脉冲漏电流 | IDM | — | 800 | — | mA |
    | 总耗散功率(25℃) | PD @ TA=25℃ | — | 0.2 | — | W |
    | 热阻(结至环境) | RθJA | 1 | — | 625 | °C/W |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 30 | — | — | V |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | 1 | 1.5 | 2.0 | V |
    | 漏源漏电流 | IDSS | — | — | 1 | µA |
    | 前向传输电导 | gfs | — | 940 | — | mS |

    产品特点和优势


    WST3032 采用先进的沟槽工艺,提供了出色的性能指标。它的主要特点和优势包括:
    - 高效率:低漏源导通电阻(典型值5Ω)和快速开关时间,使得它在高频应用中表现出色。
    - 高可靠性:通过RoHS和绿色产品认证,确保其在环保方面的表现。
    - ESD保护:具备2KV的ESD保护,增强了其在恶劣环境下的耐用性。
    这些特性使得WST3032 在移动设备、笔记本电脑和网络DC-DC电源系统等应用中非常有竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用场景分析:
    - 在移动设备中,WST3032 可以用于电池充电和放电管理,保证设备的高效运行。
    - 在网络DC-DC电源系统中,WST3032 可以作为高效的电力转换组件,提高系统的整体能效。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应注意散热问题。由于其热阻较大,可能需要额外的散热措施。
    - 建议在启动和关断时使用缓冲电路,以减少冲击和电磁干扰。

    兼容性和支持


    WST3032 支持标准的SOT-323封装,易于与其他电子元件集成。厂商提供详尽的技术文档和售后服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1: 如何确保WST3032 的安全操作?
    解决方法: 使用适当的设计和保护措施,如加入保护电路和冗余设计,以防止过热和故障。
    问题2: 在高温环境下,WST3032 的性能如何?
    解决方法: 在高温环境下,需要注意散热设计。可以通过增加散热片或使用散热膏来改善散热效果。

    总结和推荐


    WST3032 是一款高性能的N通道MOSFET,适用于多种应用领域。其优秀的漏源导通电阻、高速开关能力和强大的可靠性使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高效、可靠的电力转换和管理的应用,强烈推荐使用WST3032。
    总的来说,WST3032 不仅能满足各种应用需求,而且具备高性价比。在选择合适的电子元器件时,它可以作为一个理想的选择。

WST3032参数

参数
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@10V,200mA
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 200mA
栅极电荷 -
通用封装 SOT-323-3L

WST3032数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST3032 WST3032数据手册

WST3032封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.2678
50+ ¥ 0.2521
150+ ¥ 0.225
500+ ¥ 0.1686
3000+ ¥ 0.1622
9000+ ¥ 0.1575
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