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WSF3036

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WSF3036 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF3036

WSF3036概述


    产品简介


    WSF3036是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),以其高单元密度和出色的栅极电荷特性而著称。该产品广泛应用于高频点对点同步降压转换器、网络直流到直流电源系统及负载开关等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS(漏源电压) 30 | V |
    | VGS(栅源电压) | ±20 V |
    | ID@TC=25℃(连续漏电流) 36 A |
    | ID@TC=100℃(连续漏电流) 26 A |
    | IDM(脉冲漏电流) 58 | A |
    | EAS(单脉冲雪崩能量)| 16 70 | mJ |
    | IAS(雪崩电流) 20 A |
    | PD@TC=25℃(总功耗) 22 | W |
    | RθJA(热阻) 25 | ℃/W |
    | RθJC(结壳热阻) 5 | ℃/W |

    产品特点和优势


    - 高单元密度:采用先进的高密度沟槽技术,提供卓越的Rdson和栅极电荷特性,特别适用于同步降压转换器。
    - 绿色设备:符合RoHS标准,100% EAS测试保证,具有全功能可靠性认证。
    - 优秀的电气特性:超低栅极电荷、快速开关速度和优秀的CdV/dt效果下降。
    - 极端温度适应性:存储温度范围-55至150℃,操作结温范围-55至150℃。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. MB/NB/UMPC/VGA的高频点对点同步降压转换器:利用WSF3036高效的Rdson和快速开关时间特性,可以提高系统的效率和稳定性。
    2. 网络DC-DC电源系统:WSF3036的高频率处理能力使其适用于高性能的网络设备。
    3. 负载开关:由于其优异的雪崩能量和电流承受能力,WSF3036非常适合用于高可靠性的负载开关。
    使用建议
    - 确保电路设计中充分考虑热管理,选择合适的散热片和散热方式,以避免过热。
    - 由于WSF3036的热阻较高,建议进行热仿真分析,确保实际工作温度在允许范围内。
    - 在高频应用中,注意匹配外部元件,如栅极电阻,以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    WSF3036可与各种标准直流电源系统和负载开关兼容。Winsok公司提供详尽的技术支持文档和售后保障,帮助用户解决安装和使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决方案:增加散热措施,使用散热片或风扇。
    2. 开关速度不足
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电容,适当降低栅极电阻。
    3. 失效保护问题
    - 解决方案:添加适当的保护电路,如过流保护和过压保护。

    总结和推荐


    WSF3036是一款高性能的N沟道MOSFET,具备高单元密度、低栅极电荷和优秀的电气特性,特别适用于高频同步降压转换器和其他高性能电源系统。其卓越的热管理和可靠性使得该产品在多种应用中表现出色。综上所述,强烈推荐使用WSF3036以提升系统性能和可靠性。

WSF3036参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252-2L

WSF3036数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WSF3036封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.8226
50+ ¥ 0.7742
150+ ¥ 0.691
500+ ¥ 0.5178
2500+ ¥ 0.4984
7500+ ¥ 0.4838
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