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WST2300A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WST2300A SOT-23N
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2300A

WST2300A概述


    产品简介


    WST2300A是一款高性能的N沟道沟槽式MOSFET,具有极高的单元密度,适用于多种小功率开关和负载开关应用。这款MOSFET符合RoHS和绿色产品标准,并经过全面的功能可靠性测试验证。
    主要功能:
    - 高频点对点同步开关
    - 小功率开关,适用于MB/NB/UMPC/VGA等领域
    - 网络DC-DC电源系统
    - 负载开关
    应用领域:
    - 移动计算设备(如笔记本电脑、超移动PC、VGA)
    - 网络和通信基础设施
    - 各类电源转换应用

    技术参数


    关键电气特性:
    - 漏源电压 (VDS):最大值为20V
    - 栅源电压 (VGS):额定范围为±12V
    - 连续漏电流 (ID):在25℃时为3.0A;在70℃时为2.5A
    - 脉冲漏电流 (IDM):最大值为10A
    - 总功耗 (PD):在25℃时为1.0W
    - 热阻 (RθJA):典型值为200℃/W,最大值为75℃/W
    详细参数:
    - 门阈电压 (VGS(th)): 最大值为1.2V,最小值为0.3V
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 典型值为60mΩ,最大值为110mΩ
    - 前向跨导 (gfs):最大值为8.0S
    - 输入电容 (Ciss):最大值为320pF
    - 输出电容 (Coss):最大值为35pF

    产品特点和优势


    - 高密度单元设计:采用先进的沟槽技术,实现高效能和高集成度。
    - 低门电荷:有助于降低开关损耗。
    - 优秀的动态参数:具备出色的Cdv/dt响应特性。
    - 环保产品:符合RoHS标准,是绿色产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在移动计算设备(如笔记本电脑)中的电源管理应用。
    - 网络基础设施中的DC-DC转换器。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,在高温环境下使用时需要适当考虑散热措施。
    - 在电路设计中,合理选择外部电阻以优化开关时间。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - WST2300A能够与其他常见的N沟道MOSFET及相应的驱动电路兼容。
    支持和维护:
    - 厂商提供详尽的技术文档和应用指南,帮助客户更好地理解和使用该产品。
    - 对于技术支持和售后问题,用户可以通过官方网站联系厂商的客服团队获得帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下工作导致过热 | 使用适当的散热措施,如散热片和风扇。 |
    | 开关频率过高引起功耗增加 | 调整驱动电路,减少门电荷,从而降低功耗。 |
    | 导通电阻过高影响效率 | 检查门电压是否符合要求,确保达到最小RDS(ON)条件。 |

    总结和推荐


    综上所述,WST2300A是一款在多个方面表现出色的N沟道MOSFET。其优异的性能和紧凑的设计使其成为许多小功率开关和负载开关应用的理想选择。考虑到其符合环保标准且具备优秀的热管理和低功耗特性,强烈推荐用于高频和高效能的电源转换场合。
    请注意,在设计和使用该产品时务必遵循厂商提供的安全规范和使用指导,确保产品发挥最佳性能并避免潜在风险。

WST2300A参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-23L

WST2300A数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST2300A WST2300A数据手册

WST2300A封装设计

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30000+ ¥ 0.0925
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