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WST3427

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 5nC@ 4.5V 140mΩ@ 4.5V,2A 2.5A SOT-23L
供应商型号: WST3427 SOT-23L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3427

WST3427概述

    WST3427 P-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WST3427 是一款高性能的沟槽型P通道MOSFET,具有极高的单元密度,适用于小功率开关和负载开关应用。该产品符合RoHS标准及绿色环保要求,并通过了全面的功能可靠性验证。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -20 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±12 V
    - 栅源电压阈值 \( V{GS(th)} \): -0.3 V ~ -1.3 V
    - 反向传输电容 \( C{RSS} \): 30 pF ~ 59 pF
    - 输入电容 \( C{ISS} \): 300 pF ~ 465 pF
    - 输出电容 \( C{OSS} \): 45 pF ~ 67 pF
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \( ID \)(\( TC=25^\circ\text{C} \)): -2.5 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -9.1 A
    - 连续源电流 \( IS \): -2.5 A
    - 脉冲源电流 \( I{SM} \): -8 A
    - 热参数
    - 热阻 \( R{\theta JA} \): 125°C/W
    - 热阻 \( R{\theta JC} \): 80°C/W
    - 最大结温 \( TJ \): -55°C ~ 150°C
    - 存储温度 \( T{STG} \): -55°C ~ 150°C
    - 其他参数
    - 开关延迟时间 \( Td(on) \): 3.5 ns ~ 8.0 ns
    - 上升时间 \( Tr \): 20.6 ns ~ 46 ns
    - 关断延迟时间 \( Td(off) \): 22 ns ~ 52 ns
    - 下降时间 \( Tf \): 9.4 ns ~ 24.8 ns

    3. 产品特点和优势


    - 先进高密度沟槽技术:提供低导通电阻和超低栅极电荷。
    - 出色的Cdv/dt效应下降:适用于高频应用。
    - 绿色设备可用:符合环保标准。
    - 优秀的性能指标:包括极低的门泄漏电流、前向转移增益和门电阻。

    4. 应用案例和使用建议


    WST3427 主要应用于以下领域:
    - 高频点对点同步
    - 小功率开关电源
    - 网络DC-DC电源系统
    - 负载开关
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,以避免过热损坏。
    - 在高频开关应用中,需考虑其寄生电容和电感的影响,确保系统的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - WST3427 与多种标准封装兼容,适用于不同的电路板设计。
    - 赢仕公司提供技术支持和维护服务,确保用户在使用过程中获得必要的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定MOSFET的最大工作电流?
    - 解决方法:参考数据表中的最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \),并结合实际应用中的散热条件来选择合适的电流等级。

    - 问题2:如何避免MOSFET过热?
    - 解决方法:设计良好的散热方案,使用散热片或风扇进行强制冷却,同时监测结温以防止超过最大允许值。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WST3427 P-Ch MOSFET 具有卓越的性能、高效的功率损耗管理和广泛的适用范围,是小功率开关应用的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高性能和可靠性的应用场景。

WST3427参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@ 4.5V,2A
栅极电荷 5nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2.5A
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-23L

WST3427数据手册

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WST3427封装设计

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