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WSF3087

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 20nC@ 4.5V 5mΩ@ 10V,30A 70A TO-252-2L
供应商型号: 14M-WSF3087
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF3087

WSF3087概述

    WSF3087 N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSF3087 是一款高性能的沟槽式 N 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,特别适用于高频同步降压转换器、网络 DC-DC 电源系统及负载开关等领域。该器件符合 RoHS 和绿色环保要求,并保证 100% 的单脉冲雪崩能量测试。

    2. 技术参数


    - 基本电气特性
    - VDS(漏源电压):30 V
    - VGS(栅源电压):±20 V
    - ID(连续漏电流)
    - 在 25°C 下:70 A
    - 在 100°C 下:60 A
    - 在 25°C 环境温度下:21 A
    - 在 70°C 环境温度下:18 A
    - IDM(脉冲漏电流):150 A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):232 mJ
    - IAS(雪崩电流):41 A
    - PD(总功率耗散)
    - 在 25°C 下:51 W
    - 在 100°C 下:2.0 W
    - TSTG(存储温度范围):-55°C 至 175°C
    - TJ(工作结温范围):-55°C 至 175°C
    - 热阻
    - RθJA(结到环境热阻)
    - 稳态:62 °C/W
    - 10 秒内:25 °C/W
    - RθJC(结到壳热阻):2.8 °C/W
    - 其他参数
    - RDS(ON)(导通电阻)
    - 在 VGS=10V,ID=30A 下:5.0 mΩ
    - 在 VGS=4.5V,ID=15A 下:8.0 mΩ
    - VGS(th)(门限电压):1.0 V 至 2.5 V
    - IDSS(漏源漏电流):1 μA
    - IGSS(门源漏电流):±100 nA
    - gfs(正向跨导):43 S
    - Qg(总门电荷):20 nC
    - Qgs(门源电荷):7.6 nC
    - Qgd(门漏电荷):7.2 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高频率应用:适合用于高频同步降压转换器,可满足笔记本电脑、平板电脑、服务器和图形适配器等设备的需求。
    - 高可靠性和一致性:通过 100% 单脉冲雪崩能量测试,保证了高度可靠性和一致性。
    - 低门电荷:拥有超级低的门电荷,有助于减少开关损耗。
    - 优秀的容差:优异的栅极至漏极容差下降效应。
    - 环保材料:提供绿色器件版本,符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于多种应用,如高频同步降压转换器、网络 DC-DC 电源系统和负载开关。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,应注意电源模块的散热问题,确保器件工作在安全范围内。
    - 考虑到温度的影响,选择合适的热管理措施以保持器件在正常工作温度范围内。
    - 使用适当的封装方式以避免因高温导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WSF3087 可与其他标准封装的 MOSFET 兼容,广泛应用于各种电子产品中。
    - 支持和服务:Winsok 提供全面的技术支持和售后服务,包括器件选型指导、样品测试及故障诊断服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:设备过热导致性能下降。
    - 解决方案:采用高效的散热机制,如增加散热片或散热风扇。

    - 问题 2:漏电流过大。
    - 解决方案:检查门极驱动信号是否稳定,并确保工作温度在合理范围内。

    - 问题 3:导通电阻过高。
    - 解决方案:调整工作条件,确保 VGS 足够高以降低 RDS(ON)。

    7. 总结和推荐


    WSF3087 N 沟道 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件,非常适合用于高频同步降压转换器和 DC-DC 电源系统。其卓越的性能和广泛的适用性使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐给需要高效能和高可靠性解决方案的设计工程师和制造商。

WSF3087参数

参数
栅极电荷 20nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 10V,30A
FET类型 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-252-2L

WSF3087数据手册

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WSF3087封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.0288
50+ ¥ 0.9683
150+ ¥ 0.8642
500+ ¥ 0.6476
2500+ ¥ 0.6234
7500+ ¥ 0.6052
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