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WSP4410

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 4.2W 2.5V@ 250uA 30V 5.5mΩ@ 10V,20A 20A SOP-8L 贴片安装
供应商型号: 14M-WSP4410
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4410

WSP4410概述


    产品简介


    WSP4410是一款高性能的沟槽式N沟道MOSFET,具有极高的单元密度。它为同步降压转换器应用提供了出色的低导通电阻(Rdson)和栅极电荷。WSP4410符合RoHS和绿色环保产品要求,通过100%单脉冲雪崩能量(EAS)保证,并经过全功能可靠性测试。这些特点使得WSP4410成为高频率点负载同步降压转换器、网络直流电源系统和负载开关的理想选择。

    技术参数


    以下是WSP4410的主要技术参数和性能指标:
    - 电压参数
    - 漏源电压 (Vds):30V
    - 栅源电压 (Vgs):±20V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):31mJ
    - 雪崩电流 (IAS):25A
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):30V
    - 栅源漏极电容 (Crss):165pF
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID):25℃时为20A,70℃时为15.8A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):80A
    - 源极电流 (IS):20A
    - 脉冲源极电流 (ISM):80A
    - 热参数
    - 结壳热阻 (RθJC):25℃/W
    - 结到环境热阻 (RθJA):最大值为65℃/W
    - 最大功耗 (PD):25℃时为4.2W
    - 其他参数
    - 反向恢复时间 (trr):10ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):3nC
    - 输入电容 (Ciss):1700pF
    - 输出电容 (Coss):265pF
    - 转移电容 (Crss):165pF

    产品特点和优势


    - 高级沟槽技术:WSP4410采用了先进的高密度沟槽技术,确保卓越的性能。
    - 超低栅极电荷:这使得开关速度更快,功耗更低。
    - 出色的Cdv/dt效应下降:增强了系统的稳定性和可靠性。
    - 100% EAS保证:全面的可靠性测试确保了产品的高可靠性。
    - 绿色环保:符合RoHS标准,适合环保需求。

    应用案例和使用建议


    WSP4410广泛应用于高频率点负载同步降压转换器、网络直流电源系统和负载开关。例如,在MB/NB/UMPC/VGA系统中,它可以用于高效的电源管理。在实际应用中,建议关注以下几个方面:
    - 散热设计:由于其较高的功耗,需要良好的散热措施来保持较低的工作温度。
    - 电路布局:合理的设计电路板布局,减少寄生电感和电容的影响,以提高效率。
    - 并联使用:在大电流应用中,可以考虑将多个MOSFET并联使用,以分摊电流和热负载。

    兼容性和支持


    WSP4410与其他常见的电子元件具有良好的兼容性,可直接用于多种电路设计中。厂商提供了详尽的技术文档和支持,用户可以在官网下载最新的技术手册和应用指南。此外,Winsok提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度超出范围
    - 解决方案:确保使用过程中,工作温度不超过规定的范围。必要时采用外部冷却装置,如散热片或风扇。
    2. 问题:发热严重
    - 解决方案:检查电路布局和散热设计,确保MOSFET周围的环境温度适宜,并考虑使用更好的散热材料或增加散热面积。
    3. 问题:输出功率不足
    - 解决方案:检查输入电压和电流是否满足要求,确保驱动电路正常工作,并适当降低工作频率以减小损耗。

    总结和推荐


    综上所述,WSP4410凭借其先进的技术和优异的性能,在高频率同步降压转换器和负载开关应用中表现出色。其超低栅极电荷、高级沟槽技术和全面的可靠性测试使其在市场上具备很强的竞争力。对于追求高效、可靠和环保的电源管理应用来说,WSP4410是一个值得推荐的选择。如果你正在寻找一款性能优越且适用广泛的MOSFET,WSP4410无疑是一个优秀的选择。

WSP4410参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 10V,20A
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
最大功率耗散 4.2W
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装

WSP4410数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP4410 WSP4410数据手册

WSP4410封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7366
50+ ¥ 1.6344
150+ ¥ 1.4587
500+ ¥ 1.093
3000+ ¥ 1.0522
9000+ ¥ 1.0215
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