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WSD3045DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2.1W(Tc) 2.5V@ 250uA 2.7nC@ 4.5V 30V 8.5mΩ@ 10V,6A 18A,15.3A DFN-3,DFN3X3-8 贴片安装
供应商型号: 14M-WSD3045DN DFN3*3-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD3045DN

WSD3045DN概述

    WSD3045DN N-Ch and P-Ch MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSD3045DN 是一款高性能的沟槽式N通道和P通道MOSFET,具备极高的单元密度,适用于同步降压转换器等高效能应用。其特点包括优异的导通电阻(Rdson)和栅极电荷,符合RoHS和绿色产品要求。它还通过了100%单脉冲雪崩能量测试,确保了全面的功能可靠性。WSD3045DN 主要应用于电机控制、高电流高速开关和便携式设备。

    技术参数


    WSD3045DN 的技术参数如下:
    - 最大耐压:VDS = ±30V(N通道)和 -30V(P通道)
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 连续漏极电流:在Tc=25℃时为18A(N通道)和-15.3A(P通道);在Tc=100℃时为7A(N通道)和-8.4A(P通道)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 44A(N通道)和-53A(P通道)
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 7.3mJ(N通道)和20mJ(P通道)
    - 热阻抗:RθJA = 1-85℃/W;RθJC = 1-50℃/W
    - 导通电阻:在VGS=4.5V、ID=5A时为10mΩ(N通道)和30mΩ(P通道)

    产品特点和优势


    WSD3045DN 的独特优势在于其高单元密度,提供了卓越的Rdson和栅极电荷性能,这使其在同步降压转换器应用中表现出色。此外,它的高可靠性和100% EAS保证使其成为电机控制和其他需要高稳定性的应用的理想选择。同时,它也符合RoHS和绿色产品标准。

    应用案例和使用建议


    WSD3045DN 在同步降压转换器、电机控制和便携式设备中都有广泛应用。对于这些应用,推荐的使用建议包括:
    - 确保电路设计能够承受高电流和高电压条件,以充分利用其性能。
    - 注意散热管理,特别是在高温环境下运行时,应考虑采用散热片或其他冷却方法来避免过热。
    - 使用适当的保护措施,如瞬态抑制二极管(TVS),以防止过压和过流情况。

    兼容性和支持


    WSD3045DN 与其他电子元件具有良好的兼容性,可以轻松集成到各种电路设计中。制造商提供全面的技术支持和维护服务,以确保客户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确测量WSD3045DN 的Rdson?
    - 解决方案:在测量时应确保测量条件(如温度、电流)与数据表中的测试条件一致。通常情况下,应在规定的电压和电流下进行测量。
    - 问题2:如何避免WSD3045DN 在大电流条件下出现过热?
    - 解决方案:设计时应考虑使用散热器或其他散热方法来降低温度,以保持器件在安全的工作范围内。

    总结和推荐


    总体而言,WSD3045DN 是一款性能出色且可靠性高的MOSFET,特别适合于需要高效率和高可靠性的应用。其优异的导通电阻和栅极电荷使其在多种应用中表现出色,尤其是同步降压转换器和电机控制等领域。我们强烈推荐此产品给需要高性能电子元件的设计工程师。
    本报告详细介绍了WSD3045DN N-Ch和P-Ch MOSFET的主要技术参数和应用建议,旨在帮助工程师更好地了解和应用这一高性能电子元件。

WSD3045DN参数

参数
栅极电荷 2.7nC@ 4.5V
最大功率耗散 2.1W(Tc)
Id-连续漏极电流 18A,15.3A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.5mΩ@ 10V,6A
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 DFN-3,DFN3X3-8
安装方式 贴片安装

WSD3045DN数据手册

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WSD3045DN封装设计

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