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WSP6067

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 3.1W(Tc) 3V@ 250uA 60V 36mΩ@ 6.5A,10V 6.5A,4.5A SOP-8 贴片安装
供应商型号: WSP6067 SOP-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP6067

WSP6067概述

    WSP6067 N&P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSP6067 是一款高性能的N通道和P通道MOSFET,采用了先进的高密度沟槽技术。它特别适用于高频点对点同步降压转换器、网络直流-直流电源系统和负载开关等应用领域。此产品满足RoHS和环保要求,并且100%保证单脉冲雪崩能量(EAS)的可靠性。

    技术参数


    以下是WSP6067的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | N-Channel (典型值) | P-Channel (典型值) | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 (VDS) | 60 | -60 | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 | ±20 | V |
    | 持续漏电流 (ID) | 6.5 A (25°C) | -4.5 A (25°C) | A |
    | 脉冲漏电流 (IDM) | 24 A | -16 A | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 12 mJ | 16 mJ | mJ |
    | 热阻 (RθJA) | 90 °C/W |
    | 漏源电阻 (RDS(ON)) | 26 mΩ | 60 mΩ | mΩ |
    工作环境温度范围为-55°C到150°C,这些参数表明WSP6067具有良好的电气特性和宽泛的工作温度范围。

    产品特点和优势


    WSP6067的主要优势如下:
    - 高密度沟槽技术提供出色的RDS(ON)和栅电荷。
    - 低栅电荷和优秀的CdV/dt效应下降。
    - 100% EAS保证,提供全功能可靠性。
    - 绿色设备选项可用。

    应用案例和使用建议


    WSP6067非常适合用于高频点对点同步降压转换器和网络直流-直流电源系统。在实际应用中,可以考虑以下几点以优化其性能:
    - 在高频环境中,利用其低栅电荷特性和优秀的CdV/dt效应。
    - 注意保持在规定的温度范围内工作,避免过热。
    - 根据负载需求合理选择器件,避免超负荷运行。

    兼容性和支持


    WSP6067与现有的标准电路板设计兼容,可方便集成到多种应用场景中。厂商提供了详尽的技术支持和维护文档,确保客户能够顺利部署和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q:工作温度范围是多少?
    - A: 工作温度范围为-55°C到150°C。建议使用散热器以防止过热。

    2. Q:如何确保长时间工作的稳定性?
    - A: 使用适当的冷却措施,并遵循厂商提供的指导手册,定期进行检查和维护。
    3. Q:有哪些测试条件需要注意?
    - A: 测试时要注意脉冲宽度不超过300微秒,占空比不超过2%,避免超载。

    总结和推荐


    综上所述,WSP6067 N&P-Channel MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种电力电子应用场合。其低栅电荷、优秀的CdV/dt效应和100% EAS保证使其在市场上具备较强的竞争力。如果你正在寻找一个能在高频环境中表现出色且可靠的MOSFET,WSP6067是一个理想的选择。我们强烈推荐将WSP6067用于需要高性能和稳定性的关键应用中。

WSP6067参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
通道数量 -
FET类型 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@ 6.5A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 6.5A,4.5A
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 3.1W(Tc)
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSP6067数据手册

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WSP6067封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.9412
15000+ ¥ 0.9129
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