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WSP6064

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2.5W 3V@ 250uA 60V 45mΩ@ 10V,6.3A 6.8A SOP-8L 贴片安装
供应商型号: WSP6064 SOP-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP6064

WSP6064概述

    WSP6064 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSP6064 是一款高性能的沟槽式N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,适用于多种同步降压转换器应用。其具备优秀的导通电阻(Rdson)和门电荷,能够为大多数点对点高频负载开关应用提供可靠的解决方案。此外,WSP6064 符合RoHS和绿色环保产品要求,100% EAS保证。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):60V
    - 门源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID@TC=25℃):6.8A
    - 连续漏极电流 (ID@TC=70℃):4.5A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):24A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):12mJ
    - 雪崩电流 (IAS):16A
    - 总功率耗散 (PD@TA=25℃):2.5W
    - 热阻 (RθJA):90°C/W
    - 结-壳热阻 (RθJC):50°C/W
    - 导通电阻 (RDS(ON)):33mΩ(VGS=10V, ID=6.8A)

    3. 产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:提供优异的Rdson和门电荷。
    - 超低门电荷:提升开关速度。
    - 优秀的CdV/dt效应下降:减少电磁干扰。
    - 100% EAS保证:确保高可靠性。
    - 绿色环保装置可用:符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用领域:适用于高频点对点同步降压转换器,例如移动电脑(MB/NB/UMPC/VGA),网络直流-直流电源系统,负载开关等。
    - 使用建议:考虑到最大功率耗散限制(150°C结温),建议在使用过程中确保良好的散热设计以避免过热。建议在极端温度环境下使用时进行温度补偿以保持性能稳定。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WSP6064 与常见的SOP-8封装相兼容,可以方便地替换其他同类产品。
    - 支持和维护:Winsok公司提供全面的技术支持和维护服务,帮助客户解决问题并确保产品的最佳性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定最佳的栅极电阻 (Rg)?
    - 解决方案:建议使用公式计算最佳的Rg值,或参考数据表中的推荐值进行设置。
    - 问题2:如何处理过高的门电荷?
    - 解决方案:通过增加栅极电阻 (Rg) 来降低门电荷,但需注意可能影响开关速度。
    - 问题3:如何测试单脉冲雪崩能量 (EAS)?
    - 解决方案:使用专业的测试设备按照数据表中的条件进行测试,确保测量准确。

    7. 总结和推荐


    WSP6064 N-Channel MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,非常适合需要高效能、高可靠性的高频点对点同步降压转换器应用。其超低的门电荷、高密度沟槽技术和100% EAS保证使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐在相关应用中使用此产品,并确保正确的安装和使用方法,以实现最佳性能。

WSP6064参数

参数
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 2.5W
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 10V,6.3A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 6.8A
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSP6064数据手册

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WSP6064封装设计

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