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WSP06N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2.5W 2.5V@ 250uA 100V 105mΩ@ 10V,4.5A 4.5A SOP-8L 贴片安装
供应商型号: WSP06N10 SOP-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP06N10

WSP06N10概述


    产品简介




    WSP06N10是一款高性能的N沟道MOSFET,采用先进的高密度沟槽技术制造,具有极高的单元密度。它特别适用于高频点对点同步降压转换器应用,如小型电源开关、移动电脑(MB/NB/UMPC)、视频图形阵列(VGA)网络DC-DC电源系统和负载开关等。


    技术参数




    以下是WSP06N10的主要技术参数:

    - VDS(漏源电压):100V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - 连续漏电流(VGS @ 10V):
    - 环境温度为25℃时:4.5A
    - 环境温度为70℃时:2.8A
    - 脉冲漏电流(IDM):14A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):30mJ
    - 雪崩电流(IAS):5A
    - 总功耗(PD@TA=25℃):2.5W
    - 热阻(RθJA):1至50℃/W
    - 结到壳热阻(RθJC):1至25℃/W
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS=10V,ID=4.5A时:85mΩ
    - VGS=4.5V,ID=2A时:135至175mΩ
    - 栅阈电压(VGS(th)):1.5至2.5V
    - 正向跨导(gfs):20S
    - 总栅电荷(Qg):21nC
    - 栅源电荷(Qgs):4.9nC
    - 栅漏电荷(Qgd):5.8nC
    - 栅源泄露电流(IGSS):±100nA


    产品特点和优势




    WSP06N10具有以下几个显著特点:

    - 超低栅电荷:有助于提高开关速度,降低功耗。
    - 优异的Cdv/dt效应衰减:保证稳定的开关性能。
    - 绿色环保:符合RoHS和绿色产品要求。
    - 卓越的雪崩耐受能力:100% EAS测试保证,确保可靠性和耐用性。
    - 出色的热性能:低温升设计,确保长时间稳定运行。


    应用案例和使用建议




    WSP06N10适用于多种应用场合,例如:

    - 高频点对点同步降压转换器:由于其高密度和低导通电阻,非常适合用于移动电脑和平板设备的电源管理。
    - 网络DC-DC电源系统:适用于需要高频率和低功耗的电信设备。
    - 负载开关:用于智能设备和物联网设备中的电源管理。

    使用建议:

    - 散热设计:确保良好的散热措施,避免因过热导致性能下降。
    - 负载匹配:根据实际应用选择合适的负载,避免电流过高导致损坏。


    兼容性和支持




    WSP06N10与常见的电源管理和转换器兼容,可直接应用于现有的设计中。厂商提供全面的技术支持和售后服务,以帮助客户解决任何可能出现的问题。


    常见问题与解决方案




    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:

    1. 温度过高
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保良好的热管理。

    2. 电流过大
    - 解决方案:检查电路设计,确保符合器件的额定值,适当调整负载电流。

    3. 启动延迟时间长
    - 解决方案:调整驱动电阻(Rg),优化开关速度。


    总结和推荐




    WSP06N10凭借其先进的沟槽技术、低栅电荷和优异的热性能,在高频应用中表现出色。它不仅适合用于移动设备和电信设备的电源管理,还具有良好的性价比。总体而言,WSP06N10是一款值得推荐的高性能MOSFET,适用于需要高可靠性和稳定性的应用场合。

WSP06N10参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 105mΩ@ 10V,4.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 2.5W
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4.5A
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSP06N10数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP06N10 WSP06N10数据手册

WSP06N10封装设计

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