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WST05N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W 2.5V@ 250uA 100V 145mΩ@ 10V,1A 2.8A SOT-23-3L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST05N10 SOT-23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST05N10

WST05N10概述

    WST05N10 高频点负载同步开关N-MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WST05N10 是一款高性能的沟槽N-MOSFET,具有极高单元密度。这款产品主要用于小功率开关和负载开关应用,适用于微型笔记本电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、UMPC、VGA等领域的小功率转换需求。其设计旨在提高效率并降低功耗。

    2. 技术参数


    WST05N10 的关键技术参数如下:
    - 漏源电压 (VDS):100V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID@Tc=25℃):2.8A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):7A
    - 总功耗 (PD@Tc=25℃):1W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 到 150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C 到 150°C
    - 热阻 (RθJA):300°C/W
    - 关态漏电电流 (IDSS):≤1uA (VDS=80V, VGS=0V, TJ=25°C)
    - 栅漏电电流 (IGSS):≤±100nA (VGS=±20V, VDS=0V)

    3. 产品特点和优势


    WST05N10 采用了先进的高单元密度沟槽技术,拥有以下特点:
    - 超低栅电荷:低至 15nC,适合高频应用。
    - 优秀的 Cdv/dt 效应衰减:有效减少开关过程中的振铃效应。
    - 绿色环保设备:符合RoHS标准,确保环保。
    这些特点使得WST05N10在高频应用和紧凑设计中表现出色,具有较高的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    WST05N10 主要用于以下场景:
    - 小型电源转换器:如便携式设备的电源适配器。
    - 网络DC-DC电源系统:提供稳定高效的电力供应。
    - 负载开关:用于控制电路中的负载通断。
    使用建议:
    - 确保电路板散热良好,以避免过热。
    - 在高频应用中,合理选择外围电路元件以匹配MOSFET的特性。

    5. 兼容性和支持


    WST05N10 可与其他常见的电子元件兼容,如电容器和电感器。制造商提供了详细的用户指南和技术支持,帮助用户更好地使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及其解决方案:
    - 问题:MOSFET发热严重
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇辅助散热。
    - 问题:电源效率低下
    - 解决方案:检查电路布局是否合理,确保MOSFET周围元件的匹配度。

    7. 总结和推荐


    WST05N10凭借其出色的性能参数、先进的技术和广泛应用前景,是一款非常值得推荐的产品。特别适合需要高效能和可靠性的应用场景。对于追求高性能和可靠性的工程师和设计师来说,WST05N10无疑是一个理想的选择。

WST05N10参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 -
Id-连续漏极电流 2.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 1W
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 145mΩ@ 10V,1A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
栅极电荷 -
通用封装 SOT-23-3L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST05N10数据手册

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WST05N10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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