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WSR80N08

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 230W(Tc) 4V@ 250uA 80V 9.5mΩ@ 10V,40A 80A TO-220-3L
供应商型号: 14M-WST2238 TO-220-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR80N08

WSR80N08概述

    WSR80N08 N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSR80N08 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度。这款 MOSFET 被广泛应用于电源管理和同步降压转换器中。它具备出色的低导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷特性,非常适合需要高效率和快速开关的应用。

    技术参数


    - VDS(漏源电压): 80 V
    - VGS(栅源电压): ±20 V
    - ID(连续漏电流): 80 A
    - IDM(脉冲漏电流): 75 A
    - PD(总功耗): 230 W
    - TJM(存储温度范围): -55°C 至 175°C
    - RθJA(结到环境热阻): 62°C/W
    - RθJC(结到壳体热阻): 0.65°C/W
    - BVDSS(击穿电压): 80 V
    - RDS(ON)(导通电阻): 8.4 mΩ @ 80 A
    - VGS(th)(栅阈值电压): 2.0 V 至 4.0 V
    - gfs(前向跨导): 35 S 至 55 S
    - Qg(总栅极电荷): 180 nC @ 10 V
    - Ciss(输入电容): 4800 pF @ 25 V
    - Coss(输出电容): 1670 pF
    - Crss(反向传输电容): 590 pF

    产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:这使得 WSR80N08 在高密度应用中表现出色。
    - 超低栅极电荷:有助于减少开关损耗。
    - 优异的 CdV/dt 效应下降:在高速切换时表现更佳。
    - 100% EAS 保证:确保高可靠性的单脉冲雪崩能量。
    - 绿色环保设备:符合 RoHS 和绿色产品要求。

    应用案例和使用建议


    WSR80N08 MOSFET 主要应用于电源管理和同步降压转换器,例如负载开关。这种 MOSFET 的高密度单元结构和低导通电阻使其在需要高效率和快速响应的应用中表现突出。
    使用建议:
    1. 确保在高温度环境中使用时,考虑适当的散热措施,以避免过热损坏。
    2. 在设计电路时,合理选择栅极电阻(Rg),以平衡开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    WSR80N08 MOSFET 可与各种标准电源管理 IC 配合使用,提供良好的兼容性。制造商提供了详尽的技术支持,包括测试报告和应用指南。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下过热损坏 | 使用合适的散热片或风扇 |
    | 开关频率过高导致功耗增加 | 降低开关频率或选择更低功耗的器件 |

    总结和推荐


    WSR80N08 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,具备出色的性能和可靠性。它的高密度单元结构和低导通电阻使其成为许多电源管理应用的理想选择。强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效率和快速响应的应用场合。
    总之,WSR80N08 N 沟道 MOSFET 以其卓越的性能和可靠性,在电源管理和同步降压转换器等应用中表现出色。推荐所有需要高效能和高可靠性的客户使用此产品。

WSR80N08参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
最大功率耗散 230W(Tc)
栅极电荷 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 10V,40A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 80A
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220-3L

WSR80N08数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSR80N08 WSR80N08数据手册

WSR80N08封装设计

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