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WST2004

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 240mΩ@4.5V,400mA 400mA SOT-723-3L
供应商型号: WST2004 SOT-723-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 6000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2004

WST2004概述

    WST2004 N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WST2004 是一款 N-沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-沟道 MOSFET),主要应用于负载/电源开关、接口开关、超小型便携式电子产品电池管理、逻辑电平转换等领域。其采用表面贴装封装形式,具有低静态导通电阻(RDS(on))和低门驱动电压的特点,适用于各种电子设备。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压 (VGS): ±8 V
    - 漏源电压 (VDS): 20 V
    - 最大脉冲漏源电压 (BVDSS): 20 V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID @ TA=25℃, VGS @ 10V): 400 mA
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 1.2 A
    - 源极连续电流 (IS): 100 mA
    - 源极最大脉冲电流 (ISM): 0.5 A
    - 功率参数
    - 总功率耗散 (PD @ TA=25℃): 0.150 W
    - 热阻 (RθJA): 823 ℃/W
    - 温度参数
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 到 150°C
    - 结温 (TJ): 150°C
    - 铅温度 (TL, 1/8” from case for 10 s): 260°C

    3. 产品特点和优势


    - 低静态导通电阻:不同电压下的 RDS(on) 最小值为 240 mΩ,典型值为 280 mΩ,最大值为 450 mΩ。
    - 宽温度范围:存储温度范围可达 -55°C 到 150°C,适合多种严苛环境。
    - 低门驱动电压:只需低逻辑电平门驱动即可工作。
    - 集成度高:表面贴装封装,易于集成到电路板上。
    - 高性能:支持脉冲电流操作,具备良好的动态特性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:常用于便携式电子产品(如手机、平板电脑)的电池管理系统,可实现高效能的电源开关控制。
    - 使用建议:由于其出色的动态特性和低静态导通电阻,WST2004 在高频开关电路中表现出色。在设计时,需注意散热管理,特别是在高温环境下使用时。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WST2004 支持 SOT-723 封装,可以轻松与现有电路板设计兼容。
    - 支持:Winsok 提供详细的技术文档和客户支持服务,确保用户能够顺利使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: WST2004 的最大工作温度是多少?
    - A: WST2004 的最大工作温度为 150°C,但在实际使用中应尽量避免接近此温度以确保长期可靠性。
    - Q: 如何测试 WST2004 的 RDS(on)?
    - A: 可通过测量不同 VGS 下的漏极电流和漏源电压来计算 RDS(on),具体方法参见技术手册。

    7. 总结和推荐


    WST2004 N-沟道 MOSFET 在便携式电子产品中表现出色,其低静态导通电阻和宽温度范围使其成为一种可靠的选择。尽管价格较高,但其优异的性能和高可靠性使其在高性能应用场景中具有竞争力。推荐用于需要高效率和可靠性的负载/电源开关应用。

WST2004参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@4.5V,400mA
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 400mA
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
通用封装 SOT-723-3L

WST2004数据手册

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WST2004封装设计

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