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WSD4062DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2.1W 2.5V@ 250uA 40V 10.5mΩ@ 10V,20A 62A DFN5X6-8L 贴片安装
供应商型号: 14M-WSD4062DN56 DFN5X6-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD4062DN56

WSD4062DN56概述

    # 高性能N沟道MOSFET——WSD4062DN56

    产品简介


    WSD4062DN56是一款高性能的N沟道MOSFET器件,采用先进的高密度Trench工艺技术制造,具有极低的导通电阻(RDS(ON))和门极电荷(Qg),特别适用于高频同步降压转换器、网络DC-DC电源系统以及电力工具等应用领域。此款MOSFET完全符合RoHS标准和绿色环保要求,具备出色的可靠性和100%单脉冲雪崩能量(EAS)保证。

    技术参数


    以下是WSD4062DN56的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS 40 V |
    | 导通电阻 | RDS(ON) 7.0 | 10.5 | mΩ |
    | 栅源开启电压 | VGS(th) | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
    | 栅极漏电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 门极电荷 | Qg 76 | 91 | nC |
    | 雪崩电流 | IAS 13 A |
    工作条件
    - 漏源电压:VDS = 40V
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗:RθJA = 1 至 60 °C/W, RθJC = 3.9 °C/W

    产品特点和优势


    WSD4062DN56的主要特点是其超高的单元密度、极低的门极电荷和优异的dv/dt效应降低能力。此外,该产品100%保证了单脉冲雪崩能量,并提供绿色环保选项,适合现代高效能电路设计的需求。

    应用案例和使用建议


    WSD4062DN56广泛应用于高频率同步降压转换器中,如网络设备的DC-DC电源系统及各类电力工具。在设计时应注意确保散热良好,避免过热损坏。对于需要更高功率的应用场合,建议结合外部散热片使用以提高整体效率。

    兼容性和支持


    此型号MOSFET与其他标准封装尺寸兼容,便于集成到现有系统中。Winsok公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速上手并优化其设计方案。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解答:根据负载电流大小合理设置门极驱动电阻Rg,通常选1.1Ω至2Ω之间为宜。
    2. 问:工作时出现过温现象怎么办?
    - 解答:检查散热措施是否到位,必要时可增加额外冷却装置。

    总结和推荐


    综上所述,WSD4062DN56凭借其卓越的技术指标和广泛的适用性,在同类产品中有很强的竞争优势。它非常适合对效率要求较高的应用场景,并且在设计过程中容易操作管理。因此,强烈推荐给那些追求高性能且注重环保合规性的工程师们选用。

WSD4062DN56参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 62A
配置 -
FET类型 -
最大功率耗散 2.1W
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10.5mΩ@ 10V,20A
通用封装 DFN5X6-8L
安装方式 贴片安装

WSD4062DN56数据手册

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WSD4062DN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.2097
50+ ¥ 1.1352
150+ ¥ 1.0661
500+ ¥ 1.0162
5000+ ¥ 0.9968
15000+ ¥ 0.9678
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