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WSP16N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 3.1W 2.5V@ 250uA 100V 11mΩ@ 10V,11.5A 16A SOP-8L 贴片安装
供应商型号: 31M-WSP16N10
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP16N10

WSP16N10概述

    WSP16N10 N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSP16N10 是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度,特别适用于同步降压转换器等电力电子应用。它符合RoHS标准,并且提供绿色产品选项,确保满足所有环保要求。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):100V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID@TC=25℃):16A
    - 连续漏电流 (ID@TC=100℃):10A
    - 脉冲漏电流 (IDM):56A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):30mJ
    - 雪崩电流 (IAS):28A
    - 总功耗 (PD@TA=25℃):3.1W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55到150℃
    - 工作结温范围 (TJ):-55到150℃
    - 热阻 (RθJA):40℃/W(典型值)
    - 热阻 (RθJC):24℃/W(典型值)

    3. 产品特点和优势


    - 高级高密度单元技术:WSP16N10 采用了先进的高密度单元技术,使得其能够在同步降压转换器等应用中表现出色。
    - 超低栅极电荷:由于其低栅极电荷特性,该MOSFET在高频开关应用中表现优异。
    - 优秀的 Cdv/dt 效应下降:这种特性有助于降低电磁干扰,提升系统的可靠性。
    - 绿色设备可用:完全符合RoHS标准,且100% EAS保证。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC/DC转换器:WSP16N10特别适合用于DC/DC转换器,特别是在需要高效能和低功耗的应用中。
    - 使用建议:在设计时应注意散热问题,以避免过热。根据手册中的数据,该MOSFET在最大功耗条件下可以承受最高150℃的结温。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WSP16N10 的引脚配置遵循SOP-8标准,易于与其他兼容的电路板进行连接。
    - 支持:Winsok 提供详尽的技术文档和支持,确保用户能够顺利集成并使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅源电压会导致器件损坏。
    - 解决办法:确保VGS不超过±20V,以防止过压。

    - 问题2:在高温环境下,漏电流增加。
    - 解决办法:选择适当的散热方案,确保结温不超过150℃。

    7. 总结和推荐


    总体来说,WSP16N10 在同步降压转换器应用中表现优异,尤其是在低栅极电荷和高效率方面。虽然价格相对较高,但其出色的性能和高度的可靠性使其成为许多高端电力电子应用的理想选择。因此,强烈推荐使用此产品。
    通过上述分析,WSP16N10 MOSFET 在设计要求严格的电力电子系统中显示出极高的性价比,值得设计师考虑选用。

WSP16N10参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 10V,11.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
最大功率耗散 3.1W
Id-连续漏极电流 16A
FET类型 -
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSP16N10数据手册

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WSP16N10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 2.855
30+ ¥ 2.586
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500+ ¥ 1.718
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