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WSD3020DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 14W(Tc) 2.5V@ 250uA 30V 19mΩ@ 10V,7.5A 21A DFN-8-8 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2108 DFN3X3-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD3020DN

WSD3020DN概述

    WSD3020DN 双N沟道MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSD3020DN 是一款高性能的双N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用了先进的深沟槽技术。它适用于高频点对点负载同步降压转换器、网络DC-DC电源系统和负载开关等多种应用场合。本产品符合RoHS和绿色产品标准,保证100%单脉冲雪崩能量。

    技术参数


    以下是WSD3020DN的主要技术规格和性能参数:
    | 参数符号 | 参数描述 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | V 30 |
    | VGS | 栅源电压 | V | -20 20 |
    | ID | 持续漏极电流 | A 21
    | IDM | 脉冲漏极电流 | A 25 |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | mJ | 15
    | PD | 总功率耗散 | W 14
    | TSTG | 存储温度范围 | ℃ | -55 150 |
    | TJ | 工作结温范围 | ℃ | -55 150 |
    | RθJA | 结-环境热阻 | ℃/W 70
    | RθJC | 结-外壳热阻 | ℃/W 8.5

    产品特点和优势


    - 高密度深沟槽技术:实现极低的导通电阻和栅电荷。
    - 超低栅电荷:提高开关效率,降低功耗。
    - 优秀的CdV/dt效果衰减:减少开关损耗。
    - 100% EAS保证:确保可靠性。
    - 绿色设备可用:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    WSD3020DN 广泛应用于高频点对点负载同步降压转换器、网络DC-DC电源系统和负载开关等场合。建议在使用时考虑以下几点:
    - 散热设计:由于较高的总功率耗散,需要良好的散热措施。
    - 驱动电路:采用合适的驱动电路以减少栅电荷引起的开关损耗。
    - 负载匹配:确保负载电流不超过额定电流。

    兼容性和支持


    WSD3020DN 在市场上表现出色,具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的电源系统中。制造商提供全面的技术支持,包括详细的文档和培训材料。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间工作后结温过高。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,避免过载运行。

    - 问题:开关损耗较大。
    - 解决方案: 使用更优的驱动电路,降低栅电荷。

    - 问题:过压保护不足。
    - 解决方案: 添加外部过压保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS)。

    总结和推荐


    综上所述,WSD3020DN 是一款高度可靠、性能卓越的双N沟道MOSFET。其优异的导通电阻和栅电荷特性使其成为高频应用的理想选择。对于追求高性能和高可靠性的设计工程师来说,WSD3020DN 绝对是一个值得推荐的产品。

WSD3020DN参数

参数
通道数量 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 21A
最大功率耗散 14W(Tc)
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 19mΩ@ 10V,7.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 DFN-8-8
安装方式 贴片安装

WSD3020DN数据手册

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WSD3020DN封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.5111
50+ ¥ 1.4222
150+ ¥ 1.2694
500+ ¥ 0.9511
5000+ ¥ 0.9155
15000+ ¥ 0.8889
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