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WSF3085A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 20nC@ 4.5V 4.5mΩ@ 10V,30A 85A TO-252-2L
供应商型号: WSF3085A TO-252-2L
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF3085A

WSF3085A概述

    WSF3085A N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSF3085A 是一款高性能的沟槽式N沟道MOSFET,具备极高单元密度。它在高频点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统及负载开关等领域有着广泛的应用。WSF3085A 符合RoHS和绿色产品要求,具有100%雪崩能量保证,确保全功能可靠性。

    技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 漏源电压(VDS):30 V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流(ID):
    - TC=25°C:85 A
    - TC=100°C:57 A
    - TA=25°C:27 A
    - TA=70°C:23 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):160 A
    - 其他电气特性
    - 雪崩能量(EAS):252 mJ
    - 雪崩电流(IAS):48 A
    - 散热功率(PD):
    - TC=25°C:53 W
    - TA=25°C:6 W
    - 温度参数
    - 存储温度范围(TSTG):-55至175°C
    - 工作结温范围(TJ):-55至175°C
    - 热阻参数
    - 热阻(RθJA):
    - 稳态:62°C/W
    - 短时(t≤10s):25°C/W
    - 热阻(RθJC):2.8°C/W

    产品特点和优势


    WSF3085A 具有多种显著的技术优势:
    - 先进高密度沟槽技术:实现卓越的Rdson和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:减少开关损耗。
    - 出色的CdV/dt效应下降:提高效率。
    - 100%雪崩能量保证:确保可靠性。
    - 绿色环保设计:符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    WSF3085A 在高频点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统及负载开关等领域表现出色。适用于各种需要高效能、高可靠性的应用。使用时应注意:
    - 散热管理:由于其较高的散热需求,应在设计时考虑良好的散热方案。
    - 电压保护:为防止电压尖峰,应在电路中加入适当的电压保护措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSF3085A 可与大多数现代电子设备和电源系统兼容。
    - 支持:Winsok提供详尽的技术文档和支持,帮助客户在应用中顺利实施。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的漏源电压如何处理?
    - 解决方案:通过增加外部保护电路来限制电压。
    - 问题:无法达到预期的电流输出?
    - 解决方案:检查电路连接,确保所有组件正常工作并满足电流需求。
    - 问题:发热问题如何处理?
    - 解决方案:使用合适的散热片或其他冷却装置以降低结温。

    总结和推荐


    WSF3085A 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于各种严苛的应用环境。它的低栅极电荷、高单元密度和优良的散热性能使其成为众多高性能应用的理想选择。强烈推荐用于需要高效率和稳定性的场合。

WSF3085A参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 10V,30A
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 85A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 20nC@ 4.5V
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252-2L

WSF3085A数据手册

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WSF3085A封装设计

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