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WST2N7002A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 140mΩ@10V,500mA 700mA SOT-23L
供应商型号: 14M-WST2N7002A SOT-23N
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2N7002A

WST2N7002A概述

    高频同步降压转换器用N通道MOSFET:WST2N7002A技术详解

    产品简介


    WST2N7002A 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET,采用极高的单元密度设计,适用于大多数小功率开关和负载开关应用。它以出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷而闻名,广泛应用于移动笔记本电脑(MB/NB)、超便携个人电脑(UMPC)、网络设备和 DC-DC 电源系统等领域。此外,WST2N7002A 符合 RoHS 和绿色环保标准,且经过全面的功能可靠性认证。

    技术参数


    以下是 WST2N7002A 的关键技术参数表:
    | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏-源电压 | - | 60 | - | V |
    | VGS | 栅-源电压 | ±20 | - | - | V |
    | ID | 连续漏电流 | 25°C | 700 | - | mA |
    连续漏电流 | 70°C | 350 | - | mA |
    | IDM | 脉冲漏电流 | - | - | 2.0 | A |
    | PD | 总功耗 | 25°C | 0.25 | - | W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 | - | 150 | °C |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 | - | 150 | °C |
    | RθJA | 结-环境热阻 | - | 625 | - | °C/W |
    | BVDSS | 漏-源击穿电压 | - | 60 | - | V |

    产品特点和优势


    1. 高频率性能:WST2N7002A 的快速开关性能使其非常适合用于高频点对点同步降压转换器。
    2. 绿色环保:产品符合 RoHS 和绿色产品要求。
    3. 静电保护:具备 2kV 的 ESD 保护能力。
    4. 低导通电阻:典型 RDSON 为 0.14Ω,确保高效能输出。
    5. 高可靠性:经过全面的功能可靠性认证,适合高要求的应用环境。

    应用案例和使用建议


    WST2N7002A 的典型应用包括:
    - 移动设备(如笔记本电脑、平板电脑)的电源管理。
    - 网络设备的直流到直流电源系统。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需特别注意散热设计,避免超过 150°C 的结温限制。
    - 为实现最佳性能,建议将驱动电阻(RG)设置在推荐范围内。

    兼容性和支持


    WST2N7002A 与主流 SMT 工艺兼容,支持主流 PCB 布局设计。Winsok 提供详尽的技术文档和客户支持,包括在线帮助和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度过高导致设备过热。
    解决方案:确保良好的散热设计,使用更大的 PCB 面积或增加散热片。

    2. 问题:击穿电压异常。
    解决方案:检查电路布局是否存在高压回路,并适当调整驱动条件。

    总结和推荐


    WST2N7002A 是一款兼具高性能与高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合高频开关应用。其出色的 RDSON 和快速开关特性使其成为小型化和高效能应用的理想选择。推荐在高要求的电源管理和网络设备中优先选用此产品。

WST2N7002A参数

参数
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@10V,500mA
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 700mA
通用封装 SOT-23L

WST2N7002A数据手册

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WST2N7002A封装设计

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50+ ¥ 0.2746
150+ ¥ 0.245
500+ ¥ 0.1836
3000+ ¥ 0.1767
9000+ ¥ 0.1716
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