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WSD3030DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 25W(Tc) 2.5V@ 250uA 30V 12mΩ@ 10V,20A 34A DFN3X3-8 贴片安装
供应商型号: 14M-WSD3030DN
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD3030DN

WSD3030DN概述

    WSD3030DN N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSD3030DN 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET,拥有极高的单元密度,特别适用于同步降压转换器。它符合RoHS标准,具备全功能可靠性认证。WSD3030DN 主要应用于高频率点对点负载同步降压转换器(适用于移动设备、网络设备、游戏机等)、网络直流电源系统和负载开关等领域。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - Drain-Source Voltage (VDS): 30 V
    - Gate-Source Voltage (VGS): ±20 V
    - BVDSS (Breakdown Voltage): 30 V
    - 电流参数
    - Continuous Drain Current (ID) @ 25℃: 34 A
    - Continuous Drain Current (ID) @ 100℃: 21 A
    - Continuous Drain Current (ID) @ 25℃ (surface mount): 12 A
    - Continuous Drain Current (ID) @ 70℃ (surface mount): 10 A
    - Pulsed Drain Current (IDM): 80 A
    - 功率参数
    - Total Power Dissipation (PD) @ 25℃: 25 W
    - 温度参数
    - Storage Temperature Range (TSTG): -55℃ to 150℃
    - Operating Junction Temperature Range (TJ): -55℃ to 150℃
    - 热阻参数
    - Thermal Resistance Junction-Ambient (RθJA): 70 ℃/W
    - Thermal Resistance Junction-Case (RθJC): 5 ℃/W
    - 其他参数
    - Static Drain-Source On-Resistance (RDS(ON)): 10 mΩ @ VGS=10V, ID=20A
    - Forward Transconductance (gfs): 34 S @ VDS=5V, ID=30A
    - Total Gate Charge (Qg): 6.1 nC @ VDS=15V, VGS=4.5V, ID=20A

    3. 产品特点和优势


    - 高级高单元密度沟槽技术:提供了出色的 RDS(ON) 和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:有助于提高效率。
    - 优秀的CdV/dt效果衰减:降低了噪声和EMI。
    - 100% EAS保证:确保单脉冲雪崩能量的可靠性。
    - 绿色环保设备可用:符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    WSD3030DN 主要用于高频率点对点负载同步降压转换器,例如移动设备、网络设备和游戏机。对于这些应用,建议采用高效的散热措施以确保其稳定运行。另外,为了优化性能,可考虑在设计中使用较低的栅极电阻和较高的栅极驱动电压,以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    WSD3030DN 与其他常见的电子元器件和设备兼容。厂商提供全面的技术支持,包括但不限于安装指导、故障排除和技术咨询。如需更多信息,可以联系当地的Winsok功率代表获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下运行时出现过热现象。
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如增加散热片或使用热导管。

    2. 问题:电路在高频开关时出现异常噪声。
    - 解决方案: 减小栅极电阻或增加栅极驱动电压,以减少噪声和EMI。
    3. 问题:产品在长时间工作后出现性能下降。
    - 解决方案: 定期进行系统检查和维护,确保散热系统的有效性。

    7. 总结和推荐


    WSD3030DN N-Ch MOSFET 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET,具有出色的 RDS(ON) 和栅极电荷性能。它在高频率同步降压转换器中表现出色,并且具备全面的安全和可靠性保障。强烈推荐在高可靠性需求的应用中使用此产品。

WSD3030DN参数

参数
Id-连续漏极电流 34A
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V,20A
FET类型 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 25W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
通用封装 DFN3X3-8
安装方式 贴片安装

WSD3030DN数据手册

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WSD3030DN封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 1.2445
150+ ¥ 1.1106
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5000+ ¥ 0.8011
15000+ ¥ 0.7778
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