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WST02N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W 2.5V@ 250uA 100V 250mΩ@ 10V,1A 2A SOT-23-3L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST02N10 SOT-23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST02N10

WST02N10概述

    WST02N10 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WST02N10 是一款高性能的沟槽式 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度,适用于大多数小功率开关和负载开关应用。它符合RoHS标准和绿色环保产品要求,具有全面的功能可靠性认证。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压 \(V{GS}\):±20 V
    - 漏源电压 \(V{DS}\):100 V
    - 最大脉冲漏电流 \(I{DM}\):5 A
    - 堆栈温度范围 \(T{STG}\):-55℃ 至 150℃
    - 工作结温范围 \(TJ\):-55℃ 至 150℃
    - 电流参数
    - 连续漏电流 \(ID\)(\(TC=25℃\)):2.0 A
    - 连续漏电流 \(ID\)(\(TC=70℃\)):1.0 A
    - 最大漏源击穿电压 \(BVDSS\):100 V
    - 电阻参数
    - 静态漏源导通电阻 \(R{DS(ON)}\):180 mΩ(\(V{GS}=10V, ID=1A\))
    - 热参数
    - 结到环境热阻 \(R{\theta JA}\):125℃/W
    - 结到壳热阻 \(R{\theta JC}\):80℃/W
    - 电容参数
    - 输入电容 \(C{iss}\):508 pF(\(V{DS}=15V, V{GS}=0V, f=1MHz\))
    - 输出电容 \(C{oss}\):29 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\):16.4 pF

    3. 产品特点和优势


    - 高级高密度单元沟槽技术:提高性能和可靠性。
    - 超低栅极电荷:减少功耗并提高开关速度。
    - 优秀的 \(C{dv/dt}\) 效应下降:提供更好的动态性能。
    - 绿色环保设备:符合环保标准,适用于绿色产品应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 高频点对点同步:适用于移动电脑、笔记本电脑和UMPC等小功率开关应用。
    - 网络直流电源系统:适用于数据中心和通信设备中的直流电源转换。
    - 负载开关:在需要快速响应和高效切换的应用中表现优异。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高功率条件下。
    - 使用合适的驱动电路以优化开关速度和减少损耗。

    5. 兼容性和支持


    WST02N10 支持广泛的应用,并且与大多数现代电子设备兼容。Winsok 提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够在整个产品生命周期内获得最佳性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:高温度下工作电流降低。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用外部冷却措施如散热片或风扇。

    - 问题:栅极电荷过高导致开关损耗增加。
    - 解决方案:选择合适的栅极驱动电阻,优化驱动电路。

    7. 总结和推荐


    WST02N10 N-Channel MOSFET 是一款出色的高性能器件,适用于各种小功率开关和负载开关应用。其先进的技术特性和强大的性能使其在市场上具有很高的竞争力。如果你正在寻找可靠的高性能MOSFET,WST02N10 是一个值得考虑的选择。

WST02N10参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 250mΩ@ 10V,1A
最大功率耗散 1W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-23-3L
安装方式 贴片安装

WST02N10数据手册

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WST02N10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 0.4282
150+ ¥ 0.3822
500+ ¥ 0.2864
3000+ ¥ 0.2757
9000+ ¥ 0.2676
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