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WST2088

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST2088 SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2088

WST2088概述

    WST2088 N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WST2088 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度,适用于多种小功率开关应用和负载开关应用。该产品符合 RoHS 和绿色产品要求,经过全面的功能可靠性测试,确保其性能稳定可靠。

    技术参数


    以下是 WST2088 的关键技术参数:
    | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | 20 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±12 V |
    | ID@Tc=25℃ | 持续漏电流 | 8.8 A |
    | ID@Tc=70℃ | 持续漏电流 | 6.2 A |
    | IDP | 脉冲漏电流 | 40 A |
    | PD@TA=25℃ | 总耗散功率 | 1.5 W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    | Rthj-a | 热阻(结-环境) 25 ℃/W|
    | Rthj-c | 热阻(结-外壳) 8 ℃/W|
    其他关键参数包括:
    - 静态漏源导通电阻:2 VGS=4.5V,ID=6A 时,8 mΩ;2 VGS=2.5V,ID=5A 时,10 mΩ
    - 门阈电压:0.5 ~ 1.3 V
    - 门源泄漏电流:±100 nA
    - 总门电荷:16 nC
    - 输出电容:170 pF
    - 反向传输电容:135 pF
    - 二极管正向电压:1.2 V

    产品特点和优势


    WST2088 的主要特点包括:
    - 高单元密度的先进沟槽技术
    - 极低的门电荷
    - 出色的 dv/dt 效应抑制
    - 绿色环保器件
    这些特性使得 WST2088 在小功率开关和负载开关应用中表现出色,具备高效率和高可靠性。

    应用案例和使用建议


    WST2088 广泛应用于以下领域:
    - 功率开关应用
    - 硬开关和高频电路
    - 不间断电源系统
    使用建议:
    - 确保工作环境温度在规定的范围内,避免高温导致性能下降。
    - 注意脉冲电流和耗散功率的限制,以防止过热损坏。

    兼容性和支持


    WST2088 支持标准 SOT-23-3L 封装,可轻松集成到现有设计中。制造商提供详尽的技术文档和支持,包括使用手册、应用指南和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    常见的问题及解决方案如下:
    1. 问题:漏源电压过高导致失效
    - 解决方案:确保应用中 VDS 不超过最大额定值 20V。
    2. 问题:持续漏电流不足
    - 解决方案:检查工作环境温度,确保在规定的温度范围内。
    3. 问题:门源泄漏电流过大
    - 解决方案:检查门源电压是否超出最大额定值 ±12V。

    总结和推荐


    综上所述,WST2088 N-Ch MOSFET 在其应用领域中表现卓越,具备高效的性能和可靠的稳定性。对于需要高性能小功率开关和负载开关应用的场合,WST2088 是一个值得推荐的选择。其先进的技术特性和广泛的应用领域使其成为市场上的强有力竞争者。

WST2088参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-23-3L

WST2088数据手册

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WST2088封装设计

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