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WSP4409A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 72nC@ 4.5V 8mΩ@ 10V,15A 15A SOP-8L
供应商型号: 14M-WSP4409A SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4409A

WSP4409A概述

    WSP4409A P-Ch MOSFET:最高性能的沟槽型P通道MOSFET

    产品简介


    WSP4409A是一款高性能的沟槽式P通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度。这种MOSFET以其卓越的低静态导通电阻(Rdson)和门极电荷特性,特别适用于同步降压转换器和其他需要高效率电源管理的应用。此外,该产品符合RoHS标准,并提供绿色环保版本,确保可靠性与环保并重。

    技术参数


    - 基本电气特性
    - 漏源电压(VDS):-30 V
    - 门源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):25℃时为-15 A,70℃时为-10 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值为-70 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):70 mJ
    - 雪崩电流(IAS):-38 A
    - 总功率耗散(PD):25℃时为2.5 W
    - 热阻(RθJA):1至62.5 ℃/W
    - 热阻(RθJC):1至24 ℃/W
    - 温度范围
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 150°C
    - 工作结温范围(TJ):-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    WSP4409A的主要特点和优势包括:
    - 先进的高密度单元结构:采用了先进的沟槽技术,实现了极高的单元密度,从而提高效率。
    - 超低门极电荷:优化的门极电荷特性,减少开关损耗,提升整体效率。
    - 卓越的dv/dt效应下降:减少在快速开关操作中的损耗。
    - 100%单脉冲雪崩能量保证:具备出色的可靠性。
    - 绿色环保装置:符合RoHS标准,满足绿色产品要求。

    应用案例和使用建议


    WSP4409A广泛应用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理。在实际应用中,由于其卓越的效率和可靠性,常用于同步降压转换器中。例如,在便携式设备中,可以有效降低功耗,延长电池寿命。建议在设计电路时考虑热管理,避免高温环境下长时间运行导致的性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种封装和应用场合,如SOP-8封装。
    - 支持与维护:Winsok公司提供全面的技术支持和维护服务,包括文档资料和售后服务热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:在高温环境下使用时,MOSFET过热。
    - 解决方案:使用散热片或风扇进行外部冷却,确保结温不超出规定范围。
    - 问题二:在快速开关操作时,出现dv/dt问题。
    - 解决方案:增加门极电阻,减慢开关速度,以减少dv/dt效应。
    - 问题三:MOSFET在长时间高负载下运行时失效。
    - 解决方案:定期监测结温,采取措施确保不超过最大功率耗散限制。

    总结和推荐


    综上所述,WSP4409A P-Ch MOSFET以其卓越的性能和可靠性,特别适用于高效电源管理和电池供电设备。其广泛的适用性和全面的支持服务,使其成为当前市场上极具竞争力的产品之一。因此,强烈推荐在高效率电源管理系统中使用这款MOSFET。

WSP4409A参数

参数
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 15A
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 10V,15A
通道数量 -
栅极电荷 72nC@ 4.5V
通用封装 SOP-8L

WSP4409A数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP4409A WSP4409A数据手册

WSP4409A封装设计

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